(110)Si基板上(111)3C-SiCのCVD成長における双晶形成の抑制

文献

J-GLOBAL ID：201202207030839103 整理番号：12A0153020

Suppression of the Twin Formation in CVD Growth of (111) 3C-SiC on (110) Si Substrate

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資料名：
巻： 483/485 ページ： 483-485 発行年： 2005年
JST資料番号： D0716B ISSN： 0255-5476 資料種別：逐次刊行物 (A)
発行国：スイス (CHE) 言語：英語 (EN)

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