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J-GLOBAL ID：201202207131954841   整理番号：12A0955305

非常に薄いポリイミドの光配向層に堆積したペンタセン薄膜の電界効果モビリテイの光照射依存性

Light exposure dependence of field-effect mobility of pentacene thin films deposited on very thin polyimide photo-alignment layers

著者 (5件)： SAKAMOTO Kenji (Polymer Materials Unit, National Inst. for Materials Sci. (NIMS), 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, JPN) ,  UENO Junichi (Polymer Materials Unit, National Inst. for Materials Sci. (NIMS), 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, JPN) ,  YONEZAWA Takamitsu (Polymer Materials Unit, National Inst. for Materials Sci. (NIMS), 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, JPN) ,  YASUDA Takeshi (Photovoltaic Materials Unit, National Inst. for Materials Sci. (NIMS), 1-2-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki 305-0047, JPN) ,  MIKI Kazushi (Polymer Materials Unit, National Inst. for Materials Sci. (NIMS), 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, JPN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 111  号： 12  ページ： 123702-123702-8  発行年： 2012年06月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 異なる面内異方性を有するの厚さ1.6nmのポリイミドの光配向層に堆積した,30nm厚のペンタセン薄膜の異方的電界効果ホールモビリテイを調べた。面内異方性の違いを誘起するため,光の照射強度を最大16J/cm²まで変化させた。この光照射範囲でペンタセンの長分子軸が基板表面に対して立ちあがり(c^*軸配向”薄膜層”),ペンタセンの分子面は下部のポリイミドのバックボーン構造が平均的に配向した方向とほぼ平行に配向した。光照射が6および11J/cm²の場合,ペンタセンの分子面の配向方向に平行(垂直)な電流の電界効果モビリテイは,無配向ポリイミドに堆積したペンタセン膜に比べ増強(抑制)した。この電界効果モビリテイの増強は,ペンタセン分子の面内配向制御による正の効果を示している。しかし,16Jcm²の光照射の場合には,ペンタセン分子面の面内配向度がわずかに増大しても電界効果モビリテイは低下した。モビリテイの6および11J/cm²の照射における増大,および16Jcm²照射における低下の原因について考察した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ポリイミド ,  *有機半導体 ,  半導体薄膜 ,  *分子配向 ,  電場効果 ,  *Hall移動度 ,  依存性 ,  *光照射 ,  ポリアセン
準シソーラス用語： 光照射依存性 ,  光配向 ,  電界効果

分類 (1件)： 有機化合物の電気伝導  (BM03045F)

物質索引 (1件)： ペンタセン

タイトルに関連する用語 (9件)： ポリイミド ,  配向層 ,  堆積 ,  ペンタセン ,  薄膜 ,  電界効果 ,  モビリテイ ,  光照射 ,  依存性