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J-GLOBAL ID：201202207900305886   整理番号：12A0738973

圧電場誘起エレクトロトランスポートに起因するc面In_xGa_1-xNからのTHz波放射の増強

Enhanced THz emission from c-plane In_xGa_1-xN due to piezoelectric field-induced electron transport

著者 (6件)： WOODWARD Nathaniel (U.S. Army Res. Lab., Sensors and Electron Devices Directorate, RDRL-SEE-M, 2800 Powder Mill Road, Adelphi, Maryland ...) ,  GALLINAT C. (U.S. Army Res. Lab., Sensors and Electron Devices Directorate, RDRL-SEE-M, 2800 Powder Mill Road, Adelphi, Maryland ...) ,  RODAK L. E. (U.S. Army Res. Lab., Sensors and Electron Devices Directorate, RDRL-SEE-M, 2800 Powder Mill Road, Adelphi, Maryland ...) ,  METCALFE G. D. (U.S. Army Res. Lab., Sensors and Electron Devices Directorate, RDRL-SEE-M, 2800 Powder Mill Road, Adelphi, Maryland ...) ,  SHEN H. (U.S. Army Res. Lab., Sensors and Electron Devices Directorate, RDRL-SEE-M, 2800 Powder Mill Road, Adelphi, Maryland ...) ,  WRABACK M. (U.S. Army Res. Lab., Sensors and Electron Devices Directorate, RDRL-SEE-M, 2800 Powder Mill Road, Adelphi, Maryland ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 19  ページ： 191110-191110-4  発行年： 2012年05月07日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaN上のコヒーレントに歪んだIn_xGa_1-xNエピタキシャル層から,増強されたTHz波放射を観測した。放射は400nm又は800nmのポンプ波長におけるInAs塊からの放射を超えるか同程度であった。In_xGa_1-xN/GaNヘテロ構造からの反転THz波形は,主要なTHz発生機構が内部電場中のIn_xGa_1-xN表面への電子加速であり,塊状半導体で典型的に観測される表面から離れる拡散輸送よりも,ヘテロ界面における圧電分極電荷に主に関連することを示唆した。266nm励起に対する反転波形の持続はLOフォノン放射を通した超高速電子緩和の証拠を与える。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 窒化ガリウム ,  インジウム化合物 ,  *化合物半導体 ,  半導体材料 ,  エピタクシー ,  半導体薄膜 ,  素子構造 ,  フォノン ,  緩和現象 ,  *エレクトロトランスポート ,  電磁波 ,  *電磁波放射 ,  テラヘルツ波
準シソーラス用語： LOフォノン ,  テラヘルツ ,  ヘテロ構造 ,  電子緩和

分類 (1件)： 電磁気学一般  (BD01020N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 圧電 ,  誘起 ,  エレクトロトランスポート ,  起因 ,  THz波放射 ,  増強