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J-GLOBAL ID：201202208078113712   整理番号：12A1421511

誘電体薄膜とその実用化動向 ゾル-ゲル技術を用いたPZT系薄膜キャパシタ材料の高寿命化

著者 (2件)： 野口毅 (Mitsubishi Materials Corp.) ,  桜井英章 (Mitsubishi Materials Corp.)
資料名： セラミックス  (Bulletin of the Ceramic Society of Japan)
巻： 47  号： 10  ページ： 768-772  発行年： 2012年10月01日 
JST資料番号： S0291A  ISSN： 0009-031X  CODEN： SERAA7  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： スパッタリング法が広く用いられているSiデバイス市場において,ゾル-ゲル法により強誘電体膜を形成した集積受動デバイス(IPD)が注目されている。本稿では,ゾル-ゲル成膜技術の特長,およびPZT系薄膜キャパシタ材料の高寿命化について解説した。1)ゾル-ゲル成膜の特長:低温合成,組織制御性,結晶度,2)ゾル-ゲル法適用で注目されるSiデバイス市場:IPD,圧電MEMS,スマートフォンの例,3)高寿命PZTキャパシタの開発:ゾル-ゲル液(核生成制御剤,ドーパント),薄膜キャパシタの作製,寿命信頼性の評価,微細組織(焼成,粒サイズ,膜厚,格子欠陥)の影響,金属ドーパント(Laなど)による改善。

シソーラス用語： *誘電体薄膜 ,  強誘電体 ,  ジルコニウム酸チタン酸鉛 ,  薄膜コンデンサ ,  *薄膜成長 ,  ゾル-ゲル法 ,  回路部品 ,  集積回路 ,  耐久性 ,  化学合成 ,  制御 ,  結晶度 ,  MEMS ,  速度 ,  添加物効果 ,  ランタン ,  改良 ,  微細構造 ,  格子欠陥 ,  実用化
準シソーラス用語： 核形成速度 ,  受動デバイス ,  信頼性向上 ,  組織制御 ,  低温合成 ,  微細組織

分類 (2件)： 絶縁材料  (NA04030W) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

引用文献 (18件)：

• SOYAMA, N. Jpn. J. Appl. Phys. 2000, 39, 5434-5436
• SAKURAI, H. MRS Online Proc. Libr. 2009, 1199, "1199-F03-65"
• KLEE, M. IEEE Trans. Ultrason., Ferroelectr. Freq. Control. 2009, 56, 1505-1512
• KOBAYASHI, T. J. Micromechanics Microengineering. 2007, 17, 1238-1241
• MURALT, P. MRS Bull. 2009, 34, 658-664

タイトルに関連する用語 (7件)： 誘電体薄膜 ,  実用化 ,  動向 ,  ゾル-ゲル技術 ,  PZT ,  薄膜キャパシタ ,  高寿命化