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J-GLOBAL ID：201202208159711673   整理番号：12A1311575

APCVDによるSi(100)基板上への3C-SiC薄膜の成長に及ぼすプロパン/シラン比の効果

Effect of propane/silane ratio on the growth of 3C-SiC thin films on Si(100) substrates by APCVD

著者 (7件)： SHI Biao (Shanghai Inst. of Ceramics, Chinese Acad. of Sciences, Shanghai 201800, CHN) ,  SHI Biao (Graduate School of the Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100049, CHN) ,  LIU Xue-chao (Shanghai Inst. of Ceramics, Chinese Acad. of Sciences, Shanghai 201800, CHN) ,  ZHU Ming-xing (Shanghai Inst. of Ceramics, Chinese Acad. of Sciences, Shanghai 201800, CHN) ,  ZHU Ming-xing (Graduate School of the Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100049, CHN) ,  YANG Jian-hua (Shanghai Inst. of Ceramics, Chinese Acad. of Sciences, Shanghai 201800, CHN) ,  SHI Er-wei (Shanghai Inst. of Ceramics, Chinese Acad. of Sciences, Shanghai 201800, CHN)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 259  ページ： 685-690  発行年： 2012年10月15日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 3C-SiC薄膜を大気圧化学気相堆積により1200°CでSi(100)基板上に成長した。3C-SiC薄膜の結晶品質と微細構造に及ぼすプロパン/シラン比(プロパンとシラン中のC原子に対するSi原子の比を意味するC/Siで表現される)の効果を深く研究した。3C-SiC薄膜はC/Si比に依存して,ピラミッド状モルフォロジー又は丸い形状の多結晶性柱状グレインを有するエピタキシャル性を示す。異なるC/Si比による3C-SiC薄膜の成長機構を断面透過型電子顕微鏡特性評価に基づいて考察した。C/Si比の増加による結晶性と微細構造の変化は高い核形成速度に帰せられた。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *化学蒸着 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *エピタクシー ,  多結晶 ,  柱状晶 ,  ウエハ【IC】
準シソーラス用語： *3C-SiC ,  APCVD ,  Si基板

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： APCVD ,  Si ,  3C-SiC ,  薄膜 ,  成長 ,  プロパン ,  シラン