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J-GLOBAL ID：201202208189286152   整理番号：12A1099237

Mg_0.4Zn_0.6O/ZnOホモ接合に基づく波長300nm近辺に高い感度を持つ中間紫外線強化フォトダイオード

Middle-ultraviolet-enhanced photodetectors based on Mg_0.4Zn_0.6O/ZnO homojunction with a high selectivity for 300nm around light

著者 (5件)： ZHU Yongdan (Hubei Univ. Nationalities, Hubei, CHN) ,  ZHU Yongdan (Wuhan Univ., Wuhan, CHN) ,  ZHOU Hai (Wuhan Univ., Wuhan, CHN) ,  FANG Guojia (Wuhan Univ., Wuhan, CHN) ,  LI Meiya (Wuhan Univ., Wuhan, CHN)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 27  号： 6  ページ： 065003,1-5  発行年： 2012年06月 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 反応性マグネトロン共スパッタにより,Mg_0.4Zn_0.6O/ZnOホモ接合を形成し,金属-半導体-金属中間紫外線(中間UV)フォトダイオード(PD)を作製した。低コストのガラス基板上に,厚さ400nmのZnOバッファ層を堆積し,次いで,ZnO層の上に,厚さ200nmのMgZnO薄膜を堆積した。ZnOをバッファ層とするMgZnOベースのPDは,波長300nm近辺の中間UV光に高い感度を示し,その応答性はバッファ層がない場合と比べて大きくなった。ピーク応答性は,波長300nmのところで,バイアス-5Vにおいて0.45A/Wであった。間隔の狭い櫛形電極のPDでは,さらに高い応答性を示し,内部利得が高いことを示した。低コストで高性能のUV PDへの道を拓いた。

シソーラス用語： マグネトロンスパッタリング ,  *酸化亜鉛 ,  *化合物半導体 ,  *半導体薄膜 ,  MSM構造 ,  *紫外線 ,  *フォトダイオード ,  バッファ層 ,  応答 ,  電極
準シソーラス用語： 櫛形電極 ,  光応答 ,  *酸化亜鉛マグネシウム ,  反応性マグネトロンスパッタリング

分類 (1件)： 光導電素子  (NC03083X)

タイトルに関連する用語 (7件)： ZnO ,  ホモ接合 ,  波長 ,  感度 ,  紫外線 ,  強化 ,  フォトダイオード