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J-GLOBAL ID：201202208254239841   整理番号：12A0612045

改良MOCVD法により蒸着されたBi₂Te₃膜の成長と熱電特性

Growth and thermoelectric properties of Bi₂Te₃ films deposited by modified MOCVD

著者 (8件)： YOU Hyunwoo (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Seoul National Univ., Seoul 151-744, KOR) ,  YOU Hyunwoo (Electronic Materials Center, Korea Inst. of Sci. and Technol. (KIST), Seoul 136-791, KOR) ,  HYUB BAEK Seung (Electronic Materials Center, Korea Inst. of Sci. and Technol. (KIST), Seoul 136-791, KOR) ,  KIM Kwang-chon (School of Electrical and Engineering, Yonsei Univ., Seoul 120-749, KOR) ,  KWON O-jong (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Seoul National Univ., Seoul 151-744, KOR) ,  KIM Jin-sang (Electronic Materials Center, Korea Inst. of Sci. and Technol. (KIST), Seoul 136-791, KOR) ,  PARK Chan (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Seoul National Univ., Seoul 151-744, KOR) ,  PARK Chan (Res. Inst. of Advanced Materials (RIAM), Seoul National Univ., Seoul 151-744, KOR)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 346  号： 1  ページ： 17-21  発行年： 2012年05月01日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： テルル化ビスマス膜を(001)GaAs基板上に,改良有機金属化学気相成長(MOCVD)によって調製しその熱電特性を調べた。使用したMOCVDシステムでは,ビスマスとテルルの金属有機源を水素を,高周波誘導加熱できるグラファイト混合室で混合し,混合室の平面ギャップを介して基板に移動させた。Te/Bi比の様な蒸着パラメータが膜の表面形態と熱電性質に及ぼす効果を調べた。粒径や膜の成長速度を,混合室内温度の調整により制御できた。従来のMOCVDに比べ2-3倍速い成長速度が得られた。7μm/hの最大成長速度を,300°Cの混合温度で達成した。最も高いSeebeck係数は約-225μV/Kであった。粒径をナノスケールに制御できると熱伝導率の低減が期待できる。本研究結果から,高い熱電性能を持つBi₂Te₃膜を,改良MOCVD装置により,ハイスループットプロセスを使用してできることが示唆された。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *MOCVD ,  *テルル化物 ,  *ビスマス化合物 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  熱電効果 ,  パラメータ ,  形態 ,  成長速度 ,  粒径 ,  電気抵抗率 ,  キャリア密度 ,  *輸送係数
準シソーラス用語： テルル化ビスマス ,  表面形態 ,  *Seebeck係数

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (4件)： MOCVD ,  蒸着 ,  成長 ,  熱電特性