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J-GLOBAL ID：201202208364168834   整理番号：12A1510448

AlGaN/GaN HEMTデバイスにおける表面ポテンシャルと固有電荷の解析モデリング

Analytical Modeling of Surface-Potential and Intrinsic Charges in AlGaN/GaN HEMT Devices

著者 (3件)： KHANDELWAL Sourabh (Norwegian Univ. Sci. and Technol., Trondheim, NOR) ,  CHAUHAN Yogesh Singh (Univ. California, CA, USA) ,  FJELDLY Tor A. (Norwegian Univ. Sci. and Technol., Trondheim, NOR)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 59  号： 10  ページ： 2856-2860  発行年： 2012年10月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlGaN/GaN HEMTの固有電荷のための表面ポテンシャル(SP)に基づいた解析モデルを記す。SPの計算にはチャネル中の準FermiポテンシャルE_fのモデリングが必要である。E_fを量子井戸中のSchroedingerとPoisson方程式の整合解から計算する正確な解析手法を開発した。E_f計算の精度はバイアス電圧全領域にたいしてフェムトボルトオーダーである。E_fからのSP計算をデバイス固有電荷の解析モデル導出に用いた。モデルは実験データ非常に良く一致している。

シソーラス用語： アルミニウム化合物 ,  窒化ガリウム ,  *HEMT ,  *表面電位 ,  Fermi準位 ,  容量電圧特性
準シソーラス用語： AlGaN/GaN ,  *コンパクトモデル ,  表面ポテンシャル ,  変調ドープFET

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： AlGaN ,  GaN ,  HEMT ,  表面ポテンシャル ,  固有 ,  電荷 ,  解析 ,  モデリング