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J-GLOBAL ID:201202208475750265   整理番号:12A0636778

耐酸化性金属配線に向けた電着によるCu-Ag膜の容易な生成

Facile Formation of Cu-Ag Film by Electrodeposition for the Oxidation-Resistive Metal Interconnect
著者 (6件):
資料名:
巻: 159  号:ページ: D253-D259  発行年: 2012年 
JST資料番号: C0285A  ISSN: 1945-7111  CODEN: JESOAN  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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本報では,シアニドベース電解質中におけるCu-Ag膜の容易な電着を紹介した。電着によりCu-Ag膜を析出させ,その電気化学的挙動や,電解質組成,印加電位,KAg(CN)2濃度の膜特性に及ぼす影響を調べた。加えて,アニーリング後の微細構造変化や膜の耐酸化性変化も調べた。Cu-Ag電着前に,膜抵抗率の面からCu電着条件を最適化した。CuCNベース電解質へのKAg(CN)2添加により,Agが膜へ共電着するが,KAg(CN)2濃度変更によりAg原子濃度は効果的に制御できた。膜はCu(111),Ag(111),合金の3相から成った。電着時Cu-Ag膜の抵抗率はCuのものより著しく高かったが,N2雰囲気,350°C,1hrでアニーリング後,Cuに匹敵する抵抗率が得られた。また,アニーリング後の表面Ag原子の偏析も確めたが,これは表面Ag原子濃度増加,表面粗さ低下をもたらした。最後に,Cu-Ag膜がCuより優れた耐酸化性を持つことを確認した。
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分類 (4件):
分類
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電気めっき  ,  非鉄金属材料  ,  金属薄膜  ,  電気化学反応 
タイトルに関連する用語 (5件):
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