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J-GLOBAL ID：201202208521177478   整理番号：12A0086531

斜め入射成膜による垂直磁気記録媒体用Ru中間層の薄膜化

著者 (3件)： 井上健 (東北大) ,  斉藤伸 (東北大) ,  高橋研 (東北大)
資料名： 日本磁気学会学術講演概要集  (Abstracts. Annual Conference on Magnetics in Japan)
巻： 34th  ページ： 341  発行年： 2010年09月04日 
JST資料番号： Y0056A  ISSN： 1882-2959  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *垂直磁気記録 ,  *記憶媒体 ,  ルテニウム ,  記録 ,  粗面 ,  表面粗さ ,  *薄膜成長 ,  マグネトロンスパッタリング ,  斜め入射波 ,  曲線
準シソーラス用語： DCマグネトロンスパッタリング ,  ヒステリシスループ ,  高密度記録 ,  薄膜形成

分類 (2件)： 磁性材料  (NA04040H) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： 斜め入射 ,  成膜 ,  垂直磁気記録媒体 ,  Ru ,  中間層 ,  薄膜化