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J-GLOBAL ID：201202208638310896   整理番号：12A0378419

Si/SiGe量子ドットにおける三重項-一重項緩和のシングルショット測定

Single-Shot Measurement of Triplet-Singlet Relaxation in a Si/SiGe Double Quantum Dot

著者 (11件)： PRANCE J.R. (Univ. Wisconsin-Madison, Wisconsin, USA) ,  SHI Zhan (Univ. Wisconsin-Madison, Wisconsin, USA) ,  SIMMONS C.B. (Univ. Wisconsin-Madison, Wisconsin, USA) ,  SAVAGE D.E. (Univ. Wisconsin-Madison, Wisconsin, USA) ,  LAGALLY M.G. (Univ. Wisconsin-Madison, Wisconsin, USA) ,  SCHREIBER L.R. (TU Delft, Delft, NLD) ,  VANDERSYPEN L.M.K. (TU Delft, Delft, NLD) ,  FRIESEN Mark (Univ. Wisconsin-Madison, Wisconsin, USA) ,  JOYNT Robert (Univ. Wisconsin-Madison, Wisconsin, USA) ,  COPPERSMITH S.N. (Univ. Wisconsin-Madison, Wisconsin, USA) ,  ERIKSSON M.A. (Univ. Wisconsin-Madison, Wisconsin, USA)
資料名： Physical Review Letters  (Physical Review Letters)
巻： 108  号： 4  ページ： 046808.1-046808.4  発行年： 2012年01月27日 
JST資料番号： H0070A  ISSN： 0031-9007  CODEN： PRLTAO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *量子ドット ,  ケイ素 ,  半導体材料 ,  三重項 ,  一重項 ,  計測 ,  *素子構造 ,  寿命 ,  ケイ素合金 ,  ゲルマニウム含有合金 ,  *緩和現象
準シソーラス用語： SiGe ,  シングルショット測定 ,  緩和 ,  測定 ,  二重量子ドット ,  ヘテロ構造

分類 (1件)： 界面の電気的性質一般  (BM03081H)

タイトルに関連する用語 (7件)： Si ,  SiGe ,  量子ドット ,  三重項 ,  一重項 ,  緩和 ,  ショット