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J-GLOBAL ID：201202209142397394   整理番号：12A0273880

Al-Niの金属化に及ぼすNiの合金元素の効果

Effects of a Ni alloying element on Al-Ni metallization

著者 (10件)： LEE K W (Kookmin Univ., Seoul, KOR) ,  HAN D M (Kookmin Univ., Seoul, KOR) ,  JEONG K H (Kookmin Univ., Seoul, KOR) ,  LEE K B (Kookmin Univ., Seoul, KOR) ,  LEE J G (Kookmin Univ., Seoul, KOR) ,  JEONG C O (Samsung Electronics Co., Yongin, KOR) ,  BAE Y H (Samsung Electronics Co., Yongin, KOR) ,  RUH H (Korea Res. Inst. of Standards and Sci., Daejeon, KOR) ,  KIM C S (Korea Res. Inst. of Standards and Sci., Daejeon, KOR) ,  LEE E G (Chosun Univ., Gwangju, KOR)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 27  号： 1  ページ： 015021,1-6  発行年： 2012年01月 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Al-Ni合金薄膜におけるAl₃Ni化合物の形成に及ぼすNiの含有率の効果,および抵抗率とヒロックの抑制に及ぼす効果を研究した。得た結果から,過飽和のAl-Ni薄膜は250°Cにおいて完全にAlとAl₃Niに変換され,温度が250°Cから500°Cに上昇すると,Al₃Niのサイズが大きくなることが分かった。Al₃Niの体積率が増すと,抵抗率は直線的に増大し,また温度の上昇に伴ってAlとAl₃Niの結晶粒サイズが増大するために,抵抗率は減少することが分かった。更に,Alに少量のNiを加えた場合には,ヒロックの形成が有効に抑制されることが判明した。結果として,アニーリング処理された2.0原子%のNiを含むAl-Ni合金薄膜にはヒロックの形成が無く,また抵抗率は3.9μΩcmという低い値を持つことが分かった。

シソーラス用語： *アルミニウム合金 ,  ニッケル含有合金 ,  *金属間化合物 ,  濃度依存性 ,  電気抵抗率 ,  *金属薄膜 ,  過飽和 ,  ニッケル ,  体積率 ,  温度依存性 ,  結晶粒度 ,  焼なまし ,  スペクトロスコピー ,  Rutherford後方散乱 ,  X線回折 ,  透過型電子顕微鏡 ,  電子顕微鏡観察
準シソーラス用語： Rutherford後方散乱分光測定 ,  ヒロック

分類 (2件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  金属結晶の電子伝導  (BM03033M)

タイトルに関連する用語 (4件)： Al ,  Ni ,  金属化 ,  合金元素