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J-GLOBAL ID：201202209321378866   整理番号：12A1547913

超低電圧シリコンオン薄ボックス(SOTB)CMOS動作に専用のポリ/高k/SiONゲートスタックと新しいプロフィル工学

Poly/High-k/SiON Gate Stack and Novel Profile Engineering Dedicated for Ultralow-Voltage Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) CMOS Operation

著者 (17件)： YAMAMOTO Y. (Low-power Electronics Association & Project (LEAP)) ,  YAMALOTO Y. (Renesas Electronics Corp.) ,  MAKIYAMA H. (Low-power Electronics Association & Project (LEAP)) ,  MAKIYAMA H. (Renesas Electronics Corp.) ,  TSUNOMURA T. (Low-power Electronics Association & Project (LEAP)) ,  TSUNOMURA T. (Renesas Electronics Corp.) ,  IWAMATSU T. (Low-power Electronics Association & Project (LEAP)) ,  IWAMATSU T. (Renesas Electronics Corp.) ,  ODA H. (Low-power Electronics Association & Project (LEAP)) ,  ODA H. (Renesas Electronics Corp.) ,  SUGII N. (Low-power Electronics Association & Project (LEAP)) ,  SUGII N. (Renesas Electronics Corp.) ,  YAMAGUCHI Y. (Low-power Electronics Association & Project (LEAP)) ,  YAMAGUCHI Y. (Renesas Electronics Corp.) ,  MIZUTANI T. (Univ. Tokyo, Ibaraki, JPN) ,  HIRAMOTO T. (Low-power Electronics Association & Project (LEAP)) ,  HIRAMOTO T. (Univ. Tokyo, Ibaraki, JPN)
資料名： Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology  (Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)
巻： 2012  ページ： 109-110  発行年： 2012年 
JST資料番号： A0035B  ISSN： 0743-1562  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 0.4Vの超低電圧(ULV)動作用に設計された薄い埋め込み型酸化物(SOTB)CMOS上のケイ素について検証した。薄い埋め込み型酸化物(BOX)は低電力動作用のマルチV_thと適応ボディーバイアス(ABB)を可能にする。実際のケイ素データに基づいたABBによるULV動作の概念を示した。活性モードの0.5Vの順方向バイアスを印加し,節電モードで-2Vの逆バイアスを印加した。バックバイアス中の基板漏洩はSOTBでは無視できることである。

シソーラス用語： 電圧 ,  *半導体プロセス ,  CMOS構造 ,  素子構造 ,  トランジスタ ,  バイアス ,  ケイ素 ,  酸化膜 ,  工学 ,  ゲート【半導体】 ,  MOS構造 ,  化成皮膜
準シソーラス用語： BOX ,  ゲートスタック ,  *シリコンオンインシュレータ ,  プロフィル工学 ,  超低電圧

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： 低電圧 ,  ボックス ,  CMOS ,  SiON ,  ゲートスタック ,  プロフィル ,  工学