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J-GLOBAL ID：201202209366314117   整理番号：12A0531419

SP-HV:LDMOSトランジスタの拡張性表面ポテンシャルに基づくコンパクトモデル

SP-HV: A Scalable Surface-Potential-Based Compact Model for LDMOS Transistors

著者 (4件)： YAO Wei (Arizona State Univ., AZ, USA) ,  GILDENBLAT Gennady (Arizona State Univ., AZ, USA) ,  MCANDREW Colin C. (Freescale Semiconductor Inc., AZ, USA) ,  CASSAGNES Alexandra (Freescale Semiconductor Inc., AZ, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 59  号： 3  ページ： 542-550  発行年： 2012年03月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 横方向二重拡散MOS(LDMOS)トランジスタの拡張性コンパクトモデルを提案する。新モデル,すなわち,表面ポテンシャルに基づく高電圧MOS(SP-HV)は,表面ポテンシャルに基づくバルクMOS電界効果トランジスタモデル,すなわち,PSPと非線形抵抗器モデル,すなわち,R3から組み立てられた。LDMOSデバイスモデリングを改善するために,PSPとR3の拡張を行い,二つの要素モデルを結びつけるために,一つの内部ノードを導入した。技術コンピュータ支援設計(TCAD)シミュレーションと実験データを比較することによって新モデルを証明した。SP-HVによって,準飽和,自己加熱,ドリフト領域の衝突イオン化電流,そして,相互容量の複雑な振舞いを正確にモデル化できた。

シソーラス用語： *MOSFET ,  表面電位 ,  *モデリング ,  シミュレーション ,  衝突イオン化 ,  等価回路 ,  電流電圧特性 ,  CAD【計算機】
準シソーラス用語： LDMOS ,  コンパクトモデル ,  表面ポテンシャル

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： LDMOS ,  トランジスタ ,  拡張性 ,  表面ポテンシャル ,  コンパクトモデル