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J-GLOBAL ID：201202209769614730   整理番号：12A1466652

MgOのスペーサ層厚を最適化することによるn-ZnO/i-ZnO/p-GaNによって構成されるヘテロ接合型発光ダイオードからの局在表面プラズモン増強UV電界発光

Localized surface plasmon-enhanced ultraviolet electroluminescence from n-ZnO/i-ZnO/p-GaN heterojunction light-emitting diodes via optimizing the thickness of MgO spacer layer

著者 (7件)： LIU W. Z. (Centre for Advanced Optoelectronic Functional Materials Res. and Key Lab. for UV Light-Emitting Materials and ...) ,  XU H. Y. (Centre for Advanced Optoelectronic Functional Materials Res. and Key Lab. for UV Light-Emitting Materials and ...) ,  ZHANG L. X. (Dep. of Physics, Hong Kong Univ. of Sci. and Technol., Clear Water Bay, Kowloon, Hong Kong) ,  ZHANG C. (Centre for Advanced Optoelectronic Functional Materials Res. and Key Lab. for UV Light-Emitting Materials and ...) ,  MA J. G. (Centre for Advanced Optoelectronic Functional Materials Res. and Key Lab. for UV Light-Emitting Materials and ...) ,  WANG J. N. (Dep. of Physics, Hong Kong Univ. of Sci. and Technol., Clear Water Bay, Kowloon, Hong Kong) ,  LIU Y. C. (Centre for Advanced Optoelectronic Functional Materials Res. and Key Lab. for UV Light-Emitting Materials and ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 14  ページ： 142101-142101-5  発行年： 2012年10月01日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： n-ZnO/i-ZnO/p-GaNから成るヘテロ構造にAgナノ粒子およびMgOのスペーサ層を導入することによって,局在表面プラズモン(LSP)増強型UV発光ダイオードを作製した。好ましくない電荷移動やAgとZnOの間の非輻射Foerster共鳴エネルギー移動を抑制できるMgO層の厚さを最適化することによって,電界発光強度は7倍も増大することが分かった。時間分解光ルミネセンスおよび光ルミネセンスの温度依存性の測定から,ZnOの励起子とAgのLSPとの結合の結果として自然発光速度と内部量子効率のいずれも増大することが分かった。実験データに基づく簡単な計算から,LSPのエネルギーの大部分が光子エネルギーに変換されることが判明した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 酸化マグネシウム ,  誘電体薄膜 ,  スペーサ ,  最適化 ,  酸化亜鉛 ,  窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  PIN接合 ,  ヘテロ接合 ,  *発光ダイオード ,  表面プラズモン ,  紫外線 ,  *エレクトロルミネセンス ,  銀 ,  ナノ粒子 ,  蛍光共鳴エネルギー移動 ,  放射強度 ,  光ルミネセンス ,  温度依存性 ,  時間依存性 ,  励起子 ,  エネルギー変換効率 ,  溶出試験【化学物質】
準シソーラス用語： Foerster共鳴エネルギー移動 ,  局在表面プラズモン ,  *紫外発光ダイオード ,  放出率

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (11件)： MgO ,  スペーサ層 ,  厚 ,  最適化 ,  ZnO ,  GaN ,  ヘテロ接合 ,  発光ダイオード ,  局在表面プラズモン ,  増強 ,  電界発光