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J-GLOBAL ID：201202209812481464   整理番号：12A1712091

超高次の非線形誘電定数の測定による走査型非線形誘電顕微鏡における横方向分解能の改善

Lateral resolution improvement in scanning nonlinear dielectric microscopy by measuring super-higher-order nonlinear dielectric constants

著者 (5件)： CHINONE N. (Res. Inst. of Electrical Communication, Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, JPN) ,  YAMASUE K. (Res. Inst. of Electrical Communication, Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, JPN) ,  HIRANAGA Y. (Res. Inst. of Electrical Communication, Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, JPN) ,  HONDA K. (Res. Inst. of Electrical Communication, Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, JPN) ,  CHO Y. (Res. Inst. of Electrical Communication, Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 21  ページ： 213112-213112-4  発行年： 2012年11月19日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 走査型非線形誘電顕微鏡(SNDM)は,強誘電材料の分極分布や半導体素子のドーパントプロファイルを可視化するのに使える。特殊な鋭いチップを使わなくても,最高4次まで超高次数の非線形性の測定を通してSNDMの改善された横方向分解能を実現した。多重分域の単結晶一致溶融LiTaO₃(CLT)試料と,金属-酸化物-半導体(MOS)電界効果トランジスタ(FET)の断面を観察した。結像したCLTの分域境界は,従来型の像より超高次の像の方が狭かった。従来型の方法と比較して,この超高次法はMOSFETのより詳細な構造を分解する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 走査型プローブ顕微鏡 ,  *誘電分極 ,  不純物分布 ,  空間分解能 ,  *タンタル酸リチウム ,  強誘電分域 ,  *MOSFET ,  誘電率 ,  非線形性
準シソーラス用語： *走査型非線形誘電顕微鏡

分類 (3件)： 顕微鏡法  (BK01040E) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 非線形 ,  誘電定数 ,  走査型 ,  顕微鏡 ,  横方向 ,  分解能