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J-GLOBAL ID：201202210270229168   整理番号：12A0887112

C-末端6H-SiC上において大きな分域を有する数層エピタキシャルグラフェン

Few-layer epitaxial graphene with large domains on C-terminated 6H-SiC

著者 (5件)： HU Hailong (Fuzhou Univ., Fuzhou, CHN) ,  RUAMMAITREE Akkawat (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  NAKAHARA Hitoshi (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  ASAKA Koji (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  SAITO Yahachi (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名： Surface and Interface Analysis  (Surface and Interface Analysis)
巻： 44  号： 6  ページ： 793-796  発行年： 2012年06月 
JST資料番号： E0709A  ISSN： 0142-2421  CODEN： SIANDQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 6H-SiC(000-1)上に平均厚さが3単分子層の数層グラフェンをアルゴン雰囲気中でアニーリングすることにより作製した。その表面構造と形態を反射高エネルギー電子回折,Raman分光法及び原子間力顕微鏡(AFM)により調べた。Ramanマッピング測定からはグラフェン層は,ドーピング濃度及び歪に対しきわめて一様であることが分かった。グラファイト化後のSiC表面には,高さが,<9nmのステップが形成され,グラフェンはこれらのステップを介して連続成長し,大きな分域を形成することを示した。AFM位相像はSiC表面がグラフェンによって完全に被覆されていることを示した。

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *エピタクシー ,  *炭素材 ,  電子回折 ,  Raman分光法 ,  原子間力顕微鏡 ,  分域構造 ,  *表面構造 ,  グラフェン
準シソーラス用語： *6H-SiC ,  *エピタキシャル成長 ,  *数層グラフェン

分類 (3件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  固体の表面構造一般  (BK15010E) ,  界面化学一般  (CB12010J)

タイトルに関連する用語 (3件)： 6H-SiC ,  分域 ,  エピタキシャルグラフェン