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J-GLOBAL ID：201202210281349670   整理番号：12A1485660

Partially Narrow Mesa(PNM)構造を有する低損失IGBT

Low loss IGBT with Partially Narrow Mesa Structure (PNM-IGBT)

著者 (6件)： SUMITOMO Masakiyo (DENSO CORP., Aichi, JPN) ,  ASAI Junichi (DENSO CORP., Aichi, JPN) ,  SAKANE Hiroki (DENSO CORP., Aichi, JPN) ,  ARAKAWA Kazuki (DENSO CORP., Aichi, JPN) ,  HIGUCHI Yasushi (DENSO CORP., Aichi, JPN) ,  MATSUI Masaki (DENSO CORP., Aichi, JPN)
資料名： Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs  (Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻： 24th  ページ： 17-20  発行年： 2012年 
JST資料番号： W1300A  ISSN： 1943-653X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 花瓶状のゲート構造を採用することにより,注入効率の向上を実現した基本的に新しい構成のPartially Narrow Mesa(PNM)IGBTを述べた。このPNM-IGBTは,シリコンIGBTの限界に近い性能を有し,低い飽和電圧とV_ce(sat)-E特性の優れたトレードオフを実現できると述べた。また,本PNM-IGBTは堅牢な構造を有し,生産のために特別な装置を必要としないので実用性に優れていると述べた。PNM-IGBTの基本構造と製作法,並びに電気特性測定の結果を示した。

シソーラス用語： *IGBT ,  メサ構造 ,  電流電圧特性 ,  ゲート【半導体】 ,  電気損失 ,  キャリア注入 ,  効率化
準シソーラス用語： 電子注入

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： PNM ,  低損失 ,  IGBT