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J-GLOBAL ID：201202210338619814   整理番号：12A0739013

クロム薄膜における反強磁性磁壁作製

Antiferromagnetic domain wall engineering in chromium films

著者 (7件)： LOGAN J. M. (Dep. of Physics, The Univ. of Chicago, Chicago, Illinois 60637, USA) ,  KIM H. C. (Dep. of Physics, The Univ. of Chicago, Chicago, Illinois 60637, USA) ,  ROSENMANN D. (Center for Nanoscale Materials, Argonne National Lab., Argonne, Illinois 60439, USA) ,  CAI Z. (Advanced Photon Source, Argonne National Lab., Argonne, Illinois 60439, USA) ,  DIVAN R. (Center for Nanoscale Materials, Argonne National Lab., Argonne, Illinois 60439, USA) ,  SHPYRKO O. G. (The Univ. of California, San Diego, La Jolla, California 92093, USA) ,  ISAACS E. D. (Dep. of Physics, The Univ. of Chicago, Chicago, Illinois 60637, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 19  ページ： 192405-192405-4  発行年： 2012年05月07日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らは,クロム薄膜上に堆積させたFeキャップ薄層において,磁気フラストレーション効果を用いて,反強磁性磁壁を作製した。リソグラフィーとウェットエッチングとによって,著者らは,Feキャップ層の領域を選択的に除去して,Cr薄膜上にパターン形成した強磁性マスクを形成した。Fe除去は,Cr薄膜のユーザ指定領域での磁気フラストレーションを局所的に除去した。著者らは,Cr中の90°スピン密度波伝搬磁壁の形成を確認する,X線回折顕微鏡法の結果を提示した。この磁壁は,著者らのFeマスクで定義した境界において核形成することを記した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *磁性薄膜 ,  *クロム ,  *反強磁性 ,  *磁壁 ,  フラストレーション効果 ,  スピン密度波 ,  保護膜 ,  鉄 ,  パターン形成 ,  X線トポグラフィー ,  リソグラフィー ,  エッチング ,  核形成 ,  ウェットエッチング
準シソーラス用語： X線回折顕微鏡法 ,  キャップ層

分類 (2件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  金属の磁区及び磁化過程  (BM06112D)

タイトルに関連する用語 (5件)： クロム ,  薄膜 ,  反強磁性 ,  磁壁 ,  作製