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J-GLOBAL ID：201202210446942591   整理番号：12A0703867

ビス(エチルシクロペンタジエニル)マンガンを使用した多孔質SiCOH低k誘電体上へのマンガンの化学蒸着の研究

Study of Chemical Vapor Deposition of Manganese on Porous SiCOH Low-k Dielectrics Using Bis(ethylcyclopentadienyl)manganese

著者 (11件)： JOURDAN Nicolas (IMEC, Leuven, BEL) ,  KRISHTAB Mikhail B. (Saint Petersburg Electrotechnical Univ. “LETI”, Saint Petersburg, RUS) ,  BAKLANOV Mikhail R. (IMEC, Leuven, BEL) ,  MEERSSCHAUT Johan (IMEC, Leuven, BEL) ,  WILSON Christopher J. (IMEC, Leuven, BEL) ,  ABLETT James M. (Synchrotron Soleil, Gif-sur Yvette, FRA) ,  FONDA Emiliano (Synchrotron Soleil, Gif-sur Yvette, FRA) ,  ZHAO Larry (IMEC, Leuven, BEL) ,  VAN LSHOCHT Sven (IMEC, Leuven, BEL) ,  TOEKEI Zsolt (IMEC, Leuven, BEL) ,  VANCOILLE Eric (IMEC, Leuven, BEL)
資料名： Electrochemical and Solid-State Letters  (Electrochemical and Solid-State Letters)
巻： 15  号： 5  ページ： H176-H178  発行年： 2012年 
JST資料番号： W1290A  ISSN： 1099-0062  CODEN： ESLEF6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,高度な集積回路における銅の拡散抑制に関連して,ビス(エチルシクロペンタジエニル)マンガン((EtCp)₂Mn)前駆体から,類似した化学組成であるが異なった孔サイズ,空隙率および誘電率の一組の多孔質SiCOH低k(2.0,2.5,3.0)材料の上部への,CVD-Mn-ベース障壁形成の可能性の評価を初めて試みた。初期の低k材料ではMnの取込はそれらの疎水性のために,無視できる量であることが分かった。O₂またはH₂/Heプラズマ処理の後では,膜は親水的になった。しかし,k値が2の誘電体だけに有意なMn量の取込が起こった。対応する層は主としてMnSiO₃化合物(80% MnSiO₃/20% MnO)から構成された。実験結果によって,CVDでの薄いMn-ベースの銅拡散障壁の形成はMn前駆体分子よりも小さな孔サイズを有する誘電体に限られることが推定された。

シソーラス用語： *有機マンガン化合物 ,  *ケイ素化合物 ,  *炭化物 ,  *酸化物 ,  *水素化物 ,  多孔質体 ,  誘電率 ,  化学蒸着 ,  集積回路 ,  先端技術 ,  *銅 ,  *拡散障壁 ,  前駆体 ,  化学組成 ,  細孔径 ,  空隙率 ,  *マンガン ,  疎水性 ,  取込 ,  プラズマ処理 ,  マンガン化合物 ,  ケイ酸塩 ,  酸化マンガン ,  抑制 ,  親水性
準シソーラス用語： FTIRスペクトル ,  ケイ酸マンガン ,  酸素プラズマ ,  親水化 ,  水素プラズマ ,  低k誘電体

分類 (4件)： 無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  有機第6族・有機第7族元素化合物  (CF09055M) ,  固体中の拡散一般  (BL06021L) ,  誘電体一般  (BM05010F)

物質索引 (1件)： ビス(エチルシクロペンタジエニル)マンガン

タイトルに関連する用語 (6件)： ビス ,  シクロペンタジエニル ,  マンガン ,  低k誘電体 ,  化学蒸着 ,  研究