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J-GLOBAL ID：201202210500671019   整理番号：12A1683029

MOS構造における酸化物欠陥の無放射多重フォノン遷移へのマルチスケールモデリングアプローチ

A multi scale modeling approach to non-radiative multi phonon transitions at oxide defects in MOS structures

著者 (4件)： SCHANOVSKY F. (TU Wien, Inst. for Microelectronics, Gusshausstrasse 27-29/E360, 1040, Wien, AUT) ,  BAUMGARTNER O. (TU Wien, Inst. for Microelectronics, Gusshausstrasse 27-29/E360, 1040, Wien, AUT) ,  SVERDLOV V. (TU Wien, Inst. for Microelectronics, Gusshausstrasse 27-29/E360, 1040, Wien, AUT) ,  GRASSER T. (TU Wien, Inst. for Microelectronics, Gusshausstrasse 27-29/E360, 1040, Wien, AUT)
資料名： Journal of Computational Electronics  (Journal of Computational Electronics)
巻： 11  号： 3  ページ： 218-224  発行年： 2012年09月 
JST資料番号： A1072A  ISSN： 1569-8025  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (6件)： MOS構造 ,  酸化物 ,  欠陥 ,  多重 ,  フォノン ,  遷移