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J-GLOBAL ID：201202210545618739   整理番号：12A0395511

InGaP/InGaAsドーピング-チャネル電界効果トランジスタに対するゲート熱酸化物膜層の影響

Influence of gate thermal oxide layer on InGaP/InGaAs doping-channel field-effect transistors

著者 (1件)： TSAI Jung-hui (Dep. of Electronic Engineering, National Kaohsiung Normal Univ., 116, Ho-ping 1st Rd., Kaohsiung 802, Taiwan)
資料名： Materials Chemistry and Physics  (Materials Chemistry and Physics)
巻： 133  号： 1  ページ： 328-332  発行年： 2012年03月15日 
JST資料番号： E0934A  ISSN： 0254-0584  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,InGaP/InGaAsドーピング-チャネル電界効果トランジスタ(DCFETs)に対するゲート熱酸化物薄層の顕著な影響を初めて示した。通常のInGaP/InGaAs DCFETに比べると,ゲート熱酸化物層をもつデバイスは,より高いゲート作動電圧と,ゲートから電源へ-0.75Vから0Vにバイアスされるとき,ほとんど電圧に依存しない相互コンダクタンスを示すが,最大の相互コンダクタンスは低い。実験的には,ゲート酸化物デバイスでは,ゲート電圧振幅の最大値の90%内での相互コンダクタンスは1.63Vであるが,ゲート熱酸化物層のないデバイスでの1.35Vより大きい。さらに,ゲート酸化物デバイスでの負のゲートバイアスでの高いドレイン電流を維持し,これは相当大きなエネルギーギャップをもつ熱酸化物層はより大きな負のゲート電圧を吸収し,ゲート消耗厚への負の電圧の影響が相対的にわずかであることに起因できる。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ヒ化ガリウムインジウム ,  *ドーピング ,  *FET【トランジスタ】 ,  *熱酸化 ,  酸化物 ,  薄膜 ,  相互コンダクタンス ,  電圧
準シソーラス用語： *インジウムガリウムヒ素 ,  *ひ化インジウムガリウム ,  *電界効果トランジスタ ,  酸化物薄膜 ,  ゲート電圧

分類 (1件)： 物理化学一般その他  (CB01030T)

タイトルに関連する用語 (7件)： InGaP ,  InGaAs ,  ドーピング ,  チャネル ,  電界効果トランジスタ ,  ゲート ,  酸化物膜