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J-GLOBAL ID：201202210786596590   整理番号：12A0269332

GaNベース緑色発光ダイオードの発光特性に及ぼす傾斜電子阻止層の効果

Effect of the graded electron blocking layer on the emission properties of GaN-based green light-emitting diodes

著者 (9件)： ZHANG Ning (Res. and Dev. Center for Semiconductor Lighting, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912, Beijing 100083, People’s ...) ,  LIU Zhe (Res. and Dev. Center for Semiconductor Lighting, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912, Beijing 100083, People’s ...) ,  WEI Tongbo (Res. and Dev. Center for Semiconductor Lighting, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912, Beijing 100083, People’s ...) ,  ZHANG Lian (Res. and Dev. Center for Semiconductor Lighting, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912, Beijing 100083, People’s ...) ,  WEI Xuecheng (Res. and Dev. Center for Semiconductor Lighting, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912, Beijing 100083, People’s ...) ,  WANG Xiaodong (Res. and Dev. Center for Semiconductor Lighting, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912, Beijing 100083, People’s ...) ,  LU Hongxi (Res. and Dev. Center for Semiconductor Lighting, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912, Beijing 100083, People’s ...) ,  LI Jinmin (Res. and Dev. Center for Semiconductor Lighting, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912, Beijing 100083, People’s ...) ,  WANG Junxi (Res. and Dev. Center for Semiconductor Lighting, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912, Beijing 100083, People’s ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 5  ページ： 053504  発行年： 2012年01月30日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InGaN/GaN多重量子井戸発光ダイオード(LED)の発光特性に及ぼす傾斜AlGaN電子阻止層(GEBL)の効果について報告した。LEDにおけるGEBLの採用は,エレクトロルミネセンス強度を高め,注入電流の増加と共に波長青方偏移を低減した。GEBL LEDの光出力電力は,20及び350mAにおいて,それぞれ,163%及び415%増大した。さらに,GEBL LEDの順方向電圧は,20mAの順方向電流において0.38Vだけ低下した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 発光ダイオード ,  *多重量子井戸 ,  *窒化ガリウム ,  層 ,  *エレクトロルミネセンス ,  青方偏移 ,  出力
準シソーラス用語： *緑色発光ダイオード ,  *窒化ガリウムインジウム ,  電子阻止層 ,  *窒化ガリウムアルミニウム ,  光出力

分類 (3件)： 発光素子  (NC03082G) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  緑色発光ダイオード ,  発光特性 ,  電子 ,  阻止