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J-GLOBAL ID:201202211011018414   整理番号:12A0385557

次代を拓く 工業材料キーワード40 シリコン量子ドット-次世代太陽電池の早期実現に向けて-

著者 (1件):
資料名:
巻: 60  号:ページ: 60-61  発行年: 2012年01月01日 
JST資料番号: F0172A  ISSN: 0452-2834  CODEN: KZAIA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 解説  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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シリコンは結晶サイズが10nm以下になると量子サイズ効果が出現し,結晶サイズによってバンドギャップの大きさを制御できる。即ち,結晶サイズにより吸収する太陽スペクトルを,紫外~近赤外間で制御できて,実用化された結晶系シリコン太陽電池の変換効率を20%から大幅に上回る40%を実現できる可能性がある。著者等はインフライト・プラズマCVD法によりサイズの揃ったナノ結晶を連続合成するのに成功した。シリコン量子ドットを有機溶媒に分散させたシリコンインクを用いれば,印刷技術を用いて低コストでシリコン量子ドット太陽電池を実現できる可能性がある。本研究開発状況を紹介した。
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分類 (4件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
太陽電池  ,  量子光学一般  ,  非金属元素とその化合物の結晶構造  ,  気相めっき 

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