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J-GLOBAL ID：201202211109482682   整理番号：12A1754293

HFにおける重度にドープされたSiのエッチングメカニズムの研究

Study of the etching mechanism of heavily doped Si in HF

著者 (12件)： VALCKX Nick (Imec vzw, Heverlee, BEL) ,  VALCKX Nick (KULeuven, Heverlee, BEL) ,  CUYPERS Daniel (KULeuven, Heverlee, BEL) ,  VOS Rita (Imec vzw, Heverlee, BEL) ,  PHILIPSEN Harold (Imec vzw, Heverlee, BEL) ,  RIP Jens (Imec vzw, Heverlee, BEL) ,  DOUMEN Geert (Imec vzw, Heverlee, BEL) ,  MERTENS Paul (Imec vzw, Heverlee, BEL) ,  HEYNS Marc (Imec vzw, Heverlee, BEL) ,  HEYNS Marc (KULeuven, Heverlee, BEL) ,  DE GENDT Stefan (Imec vzw, Heverlee, BEL) ,  DE GENDT Stefan (KULeuven, Heverlee, BEL)
資料名： Diffusion and Defect Data Part B. Solid State Phenomena  (Diffusion and Defect Data Part B. Solid State Phenomena)
巻： 187  ページ： 41-44  発行年： 2012年 
JST資料番号： T0583A  ISSN： 1012-0394  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (6件)： HF ,  ドープ ,  Si ,  エッチング ,  メカニズム ,  研究