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J-GLOBAL ID：201202211140263352   整理番号：12A0539431

InAsとSiチャネルを使って作られたスピン電界効果トランジスタの輸送特性の温度依存性

Temperature dependence of the transport properties of spin field-effect transistors built with InAs and Si channels

著者 (5件)： OSINTSEV D. (Inst. for Microelectronics, TU Wien Gusshausstrasse 27-29, A-1040 Wien, AUT) ,  SVERDLOV V. (Inst. for Microelectronics, TU Wien Gusshausstrasse 27-29, A-1040 Wien, AUT) ,  STANOJEVIC Z. (Inst. for Microelectronics, TU Wien Gusshausstrasse 27-29, A-1040 Wien, AUT) ,  MAKAROV A. (Inst. for Microelectronics, TU Wien Gusshausstrasse 27-29, A-1040 Wien, AUT) ,  SELBERHERR S. (Inst. for Microelectronics, TU Wien Gusshausstrasse 27-29, A-1040 Wien, AUT)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 71  ページ： 25-29  発行年： 2012年05月 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InAsとSi上に作られたDatta-Dasスピン電界効果トランジスタの輸送特性を研究した。最初に,強磁性コンタクトとInAsから作られる半導体チャネル間のバンドミスマッチの関数としての磁気抵抗振動の振幅は温度上昇に伴い劇的に減少することを実証した。より高温で動作するInAsベースSpinFETを作るためには,より短いInAsチャネルが必要である。次に,スピン-軌道相互作用と磁場の関数としてコンダクタンスがより強い変調を受けることから,シリコンSpinFETに対してはフィンの[100]方位が望ましいことを示した。チャネルと強磁性コンタクト間伝導バンドミスマッチの関数としての電流変調に対しては,短いシリコンフィンは比較的低い温度でだけ使用可能である。対照的に,より長いシリコンチャネルでは,スピン-軌道相互作用強度をゲートバイアスにより変化させることにより,室温でTMR変調が可能となる。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 伝導バンド ,  ヒ化インジウム ,  ケイ素 ,  *FET【トランジスタ】 ,  *特性 ,  *温度依存性 ,  強磁性体 ,  チャネル ,  磁気抵抗 ,  スピン-軌道相互作用 ,  コンダクタンス ,  トンネル効果 ,  磁気抵抗効果
準シソーラス用語： *スピン電界効果トランジスタ ,  *輸送特性 ,  TMR効果

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： InAs ,  Si ,  チャネル ,  スピン電界効果トランジスタ ,  輸送特性 ,  温度依存性