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J-GLOBAL ID：201202211361170600   整理番号：12A1602163

InGaNベースの青のレーザダイオードのしきい値より下における効率特性の解析

Analysis of below-threshold efficiency characteristics of InGaN-based blue laser diodes

著者 (6件)： RYU Han-youl (Dep. of Physics, Inha Univ., Inchon 402-751, KOR) ,  JUN CHOI Won (Korea Inst. of Sci. and Technol., Seoul 136-791, KOR) ,  JEON Ki-seong (LG Electronics Advanced Res. Inst., Seoul 137-724, KOR) ,  KANG Min-goo (LG Electronics Advanced Res. Inst., Seoul 137-724, KOR) ,  CHOI Yunho (LG Electronics Advanced Res. Inst., Seoul 137-724, KOR) ,  LEE Jeong-soo (LG Electronics Advanced Res. Inst., Seoul 137-724, KOR)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 112  号： 8  ページ： 083109-083109-5  発行年： 2012年10月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InGaNレーザダイオード(LD)における効率低下効果を研究するために442nmにおけるInGaNベースの青のLDのしきい値より下における発光特性を調べた。LDの自然放出の測定からピーク効率は電流密度~20A/cm²で現れ,~2.3kA/cm²のしきい値電流密度における効率はピーク効率の~47%に減少する。測定された自然放出の特性をキャリアレート方程式モデルを利用して解析した。測定された効率曲線に合わせることによりピーク内部量子効率が~75%であることを見いだした。さらに,測定されたInGaN青LDのAuger再結合係数は10^-31-10³⁰cm⁶/sであった。これはInGaNベースの青発光ダイオードに対して報告された値よりいくらか小さい。量子井戸内の低い転位密度と均一な電流注入はInGaN LDの低いAuger再結合係数を生ずることを議論した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 半導体素子 ,  *エネルギー変換効率 ,  Auger効果 ,  キャリア再結合 ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  自然放出 ,  レート方程式 ,  量子効率 ,  青色光 ,  *半導体レーザ ,  転位密度 ,  注入 ,  電流密度
準シソーラス用語： *レーザダイオード ,  窒化インジウムガリウム ,  電流注入 ,  内部量子効率 ,  *発光効率

分類 (2件)： 半導体レーザ  (BD04070L) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (5件)： InGaN ,  青 ,  レーザダイオード ,  しきい値 ,  解析