ピッチが20nm以下のパターニングを目指した有向性自己集合ポリ(スチレン)-ブロック重合体(アクリル酸)

CHENG Jing; LAWSON Richard A.; YEH Wei-Ming; JARNAGIN Nathan D.; PETERS Andrew; TOLBERT Laren M.; HENDERSON Clifford L.

文献

J-GLOBAL ID：201202211497625945 整理番号：12A1216993

ピッチが20nm以下のパターニングを目指した有向性自己集合ポリ(スチレン)-ブロック重合体(アクリル酸)

Directed Self-Assembly of Poly(styrene)-block-Poly(acrylic acid) Copolymers for Sub-20nm Pitch Patterning

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資料名：
巻： 8323 ページ： 83232R.1-83232R.8 発行年： 2012年
JST資料番号： D0943A ISSN： 0277-786X CODEN： PSISDG 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

ピッチが20nm以下のパターニングを目指した有向性自己集合(DSA)ポリ(スチレン)-ブロック重合体(アクリル酸)について報告する。欠陥率の低い小さな形状を持つDSAを達成するには,Flory-Hugginsパラメータ(χ)の大きいブロック重合体が望ましい。ポリ(スチレン)-ブロックポリ酸から成る構造はポリ酸ブロックモノマの中で強い水素結合相互作用を持つので,DSAへの応用という観点から注目されている。制御されたMw(g/mol)とPDIを用いて,ATPR(原子移動ラジカル重合)によって(ポリスチレン-b-ポリアクリル酸共重合体(PS-b-PAA)を旨く合成することができた。また,以前に報告された感光性のPHOST-iPOC-MAの下地基板を用いて,PS-b-PAAに関する中性の基板を作製した。ラメラー状の明確な模様を持つパターンを形成するために,PS-b-PAAをアセトン蒸気中でアニーリング処理をした。21nmのピッチを持つラメラ状のPS-b-PAAに関するχは0.18であることが分かった。このように大きなχを有するPS-b-PAAから成るブロック共重合体によって,DSAのピッチサイズを8nmまで縮小可能であることが分かった。

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固体デバイス製造技術一般 , 共重合

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