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J-GLOBAL ID：201202211623025827   整理番号：12A1763885

Ge_1-xSn_x合金の電子バンド構造と有効質量パラメータ

Electronic band structure and effective mass parameters of Ge_1-xSn_x alloys

著者 (5件)： LU LOW Kain (Dep. of Electrical and Computer Engineering, National Univ. of Singapore, Singapore 119260) ,  YANG Yue (Dep. of Electrical and Computer Engineering, National Univ. of Singapore, Singapore 119260) ,  HAN Genquan (Dep. of Electrical and Computer Engineering, National Univ. of Singapore, Singapore 119260) ,  FAN Weijun (Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological Univ., Singapore 639798) ,  YEO Yee-chia (Dep. of Electrical and Computer Engineering, National Univ. of Singapore, Singapore 119260)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 112  号： 10  ページ： 103715-103715-9  発行年： 2012年11月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究はSn組成xが0から0.2の範囲のバルクGe_1-xSn_x合金の電子バンド構造を経験的擬ポテンシャル法(EPM)を使用して研究する。報告されている実験データとよく一致するバンドの特徴を再現するためにEPMの調整可能な形状因子を調整した。調整された擬ポテンシャル形状因子に基づいて,Ge_1-xSn_x合金のバンド構造をBrillouinゾーンの高い対称線に沿って計算した。放物線フィッティングを使用して,バンド端における有効質量を算出した。異なったSn組成での有効質量を2次式によりフィッティングすることにより正孔と電子有効質量の弓状パラメータを次に算出した。バルクGe_1-xSn_x合金に対して正孔と電子の有効質量をさまざまな結晶面の特別な方向または配向に沿って調べた。さらに,ダイヤモンド半導体に対して有効質量ハミルトニアンを採用することによって,8バンドk・p法によって計算したΓ点でのバンド端分散をEPR法によって得た値とフィッティングさせた。Luttinger様パラメータもGe_1-xSn_x合金に対して算出した。k・pバンド構造をEPMのそれと合致させるためにk・p法の有効質量パラメータを調整することによってそれらパラメータを得ることができた。これらの有効質量および算出したLuttingerパラメータはGe_1-xSn_x合金主体の光学および電子デバイスの設計に有効である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *バンド構造 ,  *有効質量 ,  *パラメータ ,  スズ含有合金 ,  *ゲルマニウム合金 ,  擬ポテンシャル法 ,  形状因子 ,  Brillouin帯 ,  近似法 ,  半導体薄膜 ,  ハミルトニアン ,  摂動論 ,  分散【dispersion】 ,  Luttinger液体 ,  光学素子 ,  固体素子
準シソーラス用語： k・p法 ,  ダイヤモンド半導体 ,  バンド端 ,  フィッティング【近似法】 ,  電子デバイス ,  電子バンド構造

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 合金 ,  電子バンド構造 ,  有効質量 ,  パラメータ