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J-GLOBAL ID：201202211717942777   整理番号：12A1312854

表面形態と活性チャネルのパッキング密度を改善することによるa-IGZO TFTの電気的安定性の向上

Enhancement of electrical stability of a-IGZO TFTs by improving the surface morphology and packing density of active channel

著者 (7件)： RAJA Jayapal (School of Electronic Electrical Engineering, Coll. of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan Univ. ...) ,  JANG Kyungsoo (School of Electronic Electrical Engineering, Coll. of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan Univ. ...) ,  NGUYEN Hong Hanh (School of Electronic Electrical Engineering, Coll. of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan Univ. ...) ,  TRINH Thanh Thuy (School of Electronic Electrical Engineering, Coll. of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan Univ. ...) ,  CHOI Woojin (School of Electronic Electrical Engineering, Coll. of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan Univ. ...) ,  YI Junsin (School of Electronic Electrical Engineering, Coll. of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan Univ. ...) ,  YI Junsin (Dep. of Energy Sci., Sungkyunkwan Univ., Suwon 440-746, KOR)
資料名： Current Applied Physics  (Current Applied Physics)
巻： 13  号： 1  ページ： 246-251  発行年： 2013年01月 
JST資料番号： W1579A  ISSN： 1567-1739  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 0.74~2.22W/cm²の範囲で動作パワー密度(p_d)を変えながら直流スパッタリングによりSi基板上にa-IGZO膜を堆積した。材料特性とそれのIGZO薄膜トランジスタ(TFT)の電気的安定性への効果の相関をp_dの関数として調べた。p_dが1.72W/cmであるとa-IGZO膜は最も滑らかで(0.309nm),チャネルはInに富みGaが乏しい組成であった。この秩序構造TFTは高い電界効果移動度9.14cm²/Vs,サブスレッショルドスイング(S.S.)が0.566V/decで,10⁷のオンオフ比を持っている。それに加えて,ヒステリシスループのV_thシフトはほとんど存在しなかった。a-IGZO膜の高密度化が界面トラップ密度の減少(1.83×10¹²cm^-2)をもたらし電気的,熱的安定性に寄与することを示した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 化合物半導体 ,  *形態 ,  *表面構造 ,  密度 ,  *薄膜トランジスタ ,  *安定性 ,  エネルギー密度 ,  インジウム ,  ガリウム ,  キャリア移動度 ,  比率
準シソーラス用語： *IGZO【半導体】 ,  オンオフ比 ,  トラップ密度 ,  パワー密度 ,  *充填密度 ,  電界効果移動度 ,  *表面形態

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 表面形態 ,  活性 ,  チャネル ,  密度 ,  IGZO ,  TFT ,  電気的安定性