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J-GLOBAL ID：201202211723184078   整理番号：12A0744693

SiナノワイヤFETにおける離散トラップ電荷で誘起される閾値電圧変動性を評価する決定論的方法

Deterministic Method to Evaluate the Threshold Voltage Variability Induced by Discrete Trap Charges in Si-Nanowire FETs

著者 (5件)： BEKADDOUR Abderrezak (Grenoble INP Minatec, Grenoble, FRA) ,  BEKADDOUR Abderrezak (U.R.M.E.R Univ. ABB Tlemcen, Tlemcen, DZA) ,  PALA Marco G. (Grenoble INP Minatec, Grenoble, FRA) ,  CHABANE-SARI Nasr-Eddine (U.R.M.E.R Univ. ABB Tlemcen, Tlemcen, DZA) ,  GHIBAUDO Gerard (Grenoble INP Minatec, Grenoble, FRA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 59  号： 5  ページ： 1462-1467  発行年： 2012年05月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 短チャネル効果への対策としてゲートオールアラウンド(GAA)シリコンナノワイヤFETが提案されているが,プレーナデバイスよりも本質的に閾値電圧ばらつきが大きい。空間的揺らぎと欠陥から生じる閾値電圧ばらつきは電源電圧スケーリングに対する足かせになっている。全量子3Dシミュレーションを使ってゲートの様々な位置に離散トラップ電荷がある場合のトランスファー特性を決定し,これらランダムに分布した不純物の確率密度関数を計算した。トラップ電荷数にPoissonn分布を仮定し,電荷欠陥による閾値電圧シフトの統計を見積もり,典型的トラップ密度に対して閾値電圧の平均値と標準偏差を求めた。

シソーラス用語： Green関数 ,  近似法 ,  Coulomb散乱 ,  ナノワイヤ ,  FET【トランジスタ】 ,  *可変性 ,  電圧 ,  方法論 ,  短チャネル効果 ,  素子構造 ,  確率密度関数 ,  電流電圧特性 ,  シミュレーション ,  電荷
準シソーラス用語： 3Dシミュレーション ,  ゲートオールアラウンド構造 ,  シリコンナノワイヤ ,  トラップ電荷 ,  *ナノワイアトランジスタ ,  決定論的方法 ,  非平衡Green関数 ,  変動性 ,  *閾値電圧

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： Si ,  ナノワイヤFET ,  トラップ電荷 ,  誘起 ,  閾値電圧 ,  変動性 ,  評価 ,  決定論的方法