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J-GLOBAL ID：201202211939389111   整理番号：12A0723326

ゲートバイアスストレス下にあるInGaZnO薄膜トランジスタにおける熱誘起正孔トラッピング現象を含む温度不安定性のN₂Oプラズマ処理による抑制

Suppress temperature instability of InGaZnO thin film transistors by N₂O plasma treatment, including thermal-induced hole trapping phenomenon under gate bias stress

著者 (9件)： CHANG Geng-wei (Dep. of Photonics & Inst. of Electro-Optical Engineering, National Chiao Tung Univ., Hsin-Chu, 300, Taiwan) ,  CHANG Ting-chang (Dep. of Physics and Center for Nanoscience & Nanotechnology, National Sun Yat-sen Univ., 70 Lien-hai Road, Kaohsiung ...) ,  JHU Jhe-ciou (Dep. of Physics and Center for Nanoscience & Nanotechnology, National Sun Yat-sen Univ., 70 Lien-hai Road, Kaohsiung ...) ,  TSAI Tsung-ming (Inst. of Materials Sci. and Engineering, National Sun Yat-Sen Univ., Kaohsiung, 70 Lien-hai Road, Kaohsiung, 804, Taiwan) ,  SYU Yong-en (Dep. of Physics and Center for Nanoscience & Nanotechnology, National Sun Yat-sen Univ., 70 Lien-hai Road, Kaohsiung ...) ,  CHANG Kuan-chang (Inst. of Materials Sci. and Engineering, National Sun Yat-Sen Univ., Kaohsiung, 70 Lien-hai Road, Kaohsiung, 804, Taiwan) ,  TAI Ya-hsiang (Dep. of Photonics & Inst. of Electro-Optical Engineering, National Chiao Tung Univ., Hsin-Chu, 300, Taiwan) ,  JIAN Fu-yen (Dep. of Physics and Center for Nanoscience & Nanotechnology, National Sun Yat-sen Univ., 70 Lien-hai Road, Kaohsiung ...) ,  HUNG Ya-chi (Inst. of Materials Sci. and Engineering, National Sun Yat-Sen Univ., Kaohsiung, 70 Lien-hai Road, Kaohsiung, 804, Taiwan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 18  ページ： 182103-182103-3  発行年： 2012年04月30日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非晶質のInGaZnOから成る薄膜トランジスタ(a-IGZO-TFT)における著しい引き延ばし現象を誘起する異常なサブスレショウルド漏洩電流を,高温で観測した。この現象はソース領域に蓄積したトラップに源を持つ熱的に発生した正孔に帰着する。熱的に発生した正孔によってソース側の障壁が低下し,見掛け上のサブスレショウルド漏洩電流が誘起される。熱安定性の優れたa-IGZO-TFTを作製するために,活性層を導電性のN₂Oプラズマ処理することによって,SiO₂を堆積する過程に発生する欠陥を抑制できると考えられる。欠陥の発生の低下によって,サブスレショウルド電流の引き延ばし現象が抑制されるだけでなく,a-IGZOのTFTの高温におけるバイアスストレス安定性が大幅に改善されることが分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 化合物半導体 ,  *酸化物 ,  ガリウム化合物 ,  亜鉛化合物 ,  インジウム化合物 ,  *薄膜トランジスタ ,  キャリア捕獲 ,  正孔 ,  非晶質半導体 ,  漏れ電流 ,  熱安定性 ,  酸化二窒素 ,  プラズマ処理 ,  二酸化ケイ素 ,  誘電体薄膜 ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： 電圧ストレス

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： トランジスタ ,  誘起 ,  正孔 ,  トラッピング ,  現象 ,  不安定性 ,  N2O ,  プラズマ処理