文献

J-GLOBAL ID：201202212051919801   整理番号：12A0548801

任意の注入条件から4H-SiCp⁺-n-n⁺ダイオードのスイッチング挙動の解析モデル

An Analytical Model of the Switching Behavior of 4H-SiC p⁺-n-n⁺ Diodes from Arbitrary Injection Conditions

著者 (4件)： BELLONE Salvatore (Universita degli Studi di Salerno, Salerno, ITA) ,  DELLA CORTE Francesco G. (Universita degli Studi Mediterranea di Reggio Calabria, Reggio Calabria, ITA) ,  DI BENEDETTO Luigi (Universita degli Studi di Salerno, Salerno, ITA) ,  LICCIARDO Gian Domenico (Univ. Salerno, Salerno, ITA)
資料名： IEEE Transactions on Power Electronics  (IEEE Transactions on Power Electronics)
巻： 27  号： 3-4  ページ： 1641-1652  発行年： 2012年03月 
JST資料番号： D0211B  ISSN： 0885-8993  CODEN： ITPEE8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 任意の注入条件から開始する空間と時間の関数として試験装置の端子と内部量の過渡応答を記述する能力のある,p-i-nダイオードの逆回復の解析モデルを提供した。モデルはSiC材料の広い範囲の物理パラメータの電流と電圧の全体過渡応答そしてフォワード対逆電流比を記述することができた。4H-SiCp-i-nダイオードで実行した数値シミュレーションと実験測定によるモデルの良い一致は,モデルの有効性を証明した。そしてダイオードのスイッチングパラメータに及ぼす幾つかの物理的そして幾何学的パラメータの影響の明確化を可能にした。提案したモデルは,また回路シミュレータに採用するための正確な回路モデルを実行するための役立つ開始点になった。

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *ダイオード ,  *スイッチング ,  解析モデル ,  過渡応答 ,  PINダイオード ,  シミュレーション ,  シミュレータ ,  回路モデル
準シソーラス用語： 回路シミュレータ ,  数値シミュレーション

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (5件)： 注入 ,  ダイオード ,  スイッチング ,  挙動 ,  解析モデル