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J-GLOBAL ID：201202212087993609   整理番号：12A1699608

圧電応答力顕微鏡により調べられる強誘電体(SrBi₂Ta₂O₉)-絶縁体(HfO₂)-シリコン構造における保持損失

Retention loss in the ferroelectric (SrBi₂Ta₂O₉)-insulator (HfO₂)-silicon structure studied by piezoresponse force microscopy

著者 (7件)： ZHANG Z. H. (Xiangtan Univ., Hunan, CHN) ,  ZHONG X. L. (Xiangtan Univ., Hunan, CHN) ,  ZHANG Y. (Xiangtan Univ., Hunan, CHN) ,  WANG J. B. (Xiangtan Univ., Hunan, CHN) ,  LU C. J. (Qingdao Univ., Shandong, CHN) ,  YE W. N. (Qingdao Univ., Shandong, CHN) ,  ZHOU Y. C. (Xiangtan Univ., Hunan, CHN)
資料名： EPL  (EPL)
巻： 98  号： 2  ページ： 27011,1-27011,4  発行年： 2012年04月 
JST資料番号： D0701B  ISSN： 0295-5075  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (6件)： 圧電応答力顕微鏡 ,  強誘電体 ,  絶縁体 ,  HfO2 ,  シリコン ,  損失