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J-GLOBAL ID：201202212266886327   整理番号：12A0099443

シンクロトロン放射光電子放出分光により調べたゲート電極とHfO₂/Siゲートスタックの間のアニーリングが誘起した界面反応

Annealing-induced Interfacial Reactions between Gate Electrodes and HfO₂/Si Gate Stacks Studied by Synchrotron Radiation Photoemission Spectroscopy

著者 (9件)： TAKAHASHI H. (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  OKABAYASHI J. (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  TOYODA S. (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  KUMIGASHIRA H. (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  OSHIMA M. (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  IKEDA K. (Semiconductor Technol. Acad. Res. Center, Kanagawa, JPN) ,  LIU G. L. (Semiconductor Technol. Acad. Res. Center, Kanagawa, JPN) ,  LIU Z. (Semiconductor Technol. Acad. Res. Center, Kanagawa, JPN) ,  USUDA K. (Semiconductor Technol. Acad. Res. Center, Kanagawa, JPN)
資料名： AIP Conference Proceedings  (AIP Conference Proceedings)
巻： 879  号： Pt.2  ページ： 1569-1572  発行年： 2007年 
JST資料番号： D0071C  ISSN： 0094-243X  資料種別： 会議録 (C)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (10件)： シンクロトロン放射光 ,  電子放出 ,  分光 ,  ゲート電極 ,  HfO2 ,  Si ,  ゲートスタック ,  アニーリング ,  誘起 ,  界面反応