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J-GLOBAL ID：201202212296165853   整理番号：12A0719096

BiFeO₃/Pb(Zr_0.52Ti_0.48)O₃二層膜の磁場中アニールによるマルチフェロイック特性の著しい向上

Significantly Improved Multiferrioc Properties of BiFeO₃/Pb(Zr_0.52Ti_0.48)O₃ Bilayer Films by Magnetic Field Annealing

著者 (9件)： ZHANG Shuxia (Inst. Electrical Engineering, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  DUAN Zhongxia (Inst. Electrical Engineering, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  ZHANG Xianping (Inst. Electrical Engineering, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  WANG Dongliang (Inst. Electrical Engineering, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  GAO Zhaoshun (Inst. Electrical Engineering, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  HAN Li (Inst. Electrical Engineering, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  MA Yanwei (Inst. Electrical Engineering, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  AWAJI Satoshi (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  WATANABE Kazuo (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 5  号： 4  ページ： 041802.1-041802.3  発行年： 2012年04月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： マルチフェロイックBiFeO₃/Pb(Zr_0.52Ti_0.48)O₃(BFO/PZT)二層膜の高磁場を用いた新規な形成方法について報告した。外部磁場下でアニールした薄膜において,磁化と電気分極が室温で同時に増加するのを観測した。磁場を加えない場合の比較試料と比べ,飽和磁化と二重残留分極が室温において6倍増加した。これらの結果から,強磁場アニール法は高性能BiFeO₃膜を形成する代替案であることを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ビスマス化合物 ,  *鉄化合物 ,  多層膜 ,  薄膜 ,  強磁場 ,  外部磁場 ,  焼なまし ,  飽和磁化 ,  残留分極 ,  磁気電気効果 ,  強磁性体 ,  強誘電体 ,  結晶粒径 ,  材料 ,  ジルコニウム酸チタン酸鉛
準シソーラス用語： *マルチフェロイック材料 ,  *鉄酸ビスマス ,  二層膜

分類 (2件)： 酸化物結晶の磁性  (BM06050E) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

引用文献 (33件)：

• FIEBIG, M. Nature (London). 2002, 419, 818
• HILL, N. A. J. Magn. Magn. Mater. 2002, 242, 976
• SESHADRI, R. Chem. Mater. 2001, 13, 2892
• KHOMSKII, D. I. J. Magn. Magn. Mater. 2006, 306, 1
• WANG, J. Science. 2003, 299, 1719

タイトルに関連する用語 (7件)： BiFeO3 ,  Pb ,  O3 ,  二層膜 ,  磁場 ,  アニール ,  マルチフェロイック