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J-GLOBAL ID：201202212299657102   整理番号：12A1438269

円筒形GAA-MOSFET弾道・準弾道輸送の解析コンパクトモデルにおける複数サブバンドの導入

著者 (7件)： CHENG He (名大 院) ,  CHENG He (JST-CREST) ,  宇野重康 (立命大 院) ,  宇野重康 (JST-CREST) ,  沼田達宏 (名大 院) ,  沼田達宏 (JST-CREST) ,  中里和郎 (名大 院)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
巻： 73rd  ページ： ROMBUNNO.14P-F7-3  発行年： 2012年08月27日 
JST資料番号： Y0055B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 素子構造 ,  *MOSFET ,  *バリスティック輸送 ,  *計算機シミュレーション ,  バンド構造 ,  電位 ,  表面準位 ,  式 ,  電気抵抗 ,  電流電圧特性 ,  シミュレーションモデル ,  固体素子モデル
準シソーラス用語： Landauerの式 ,  ゲートオールアラウンド ,  ゲートオールアラウンド構造 ,  コンパクトモデル ,  サブバンド ,  デバイスシミュレーション ,  静電ポテンシャル

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： MOSFET ,  弾道 ,  準弾道輸送 ,  解析 ,  コンパクトモデル ,  サブバンド