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J-GLOBAL ID：201202213016947319   整理番号：12A1719324

先端Ge pMOSFETの挑戦と機会

Challenges and opportunities in advanced Ge pMOSFETs

著者 (12件)： SIMOEN E. (Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, BEL) ,  MITARD J. (Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, BEL) ,  HELLINGS G. (Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, BEL) ,  ENEMAN G. (Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, BEL) ,  DE JAEGER B. (Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, BEL) ,  WITTERS L. (Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, BEL) ,  VINCENT B. (Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, BEL) ,  LOO R. (Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, BEL) ,  DELABIE A. (Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, BEL) ,  SIONCKE S. (Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, BEL) ,  CAYMAX M. (Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, BEL) ,  CLAEYS C. (Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, BEL)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 15  号： 6  ページ： 588-600  発行年： 2012年12月 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ここでは将来の高性能CMOSデバイスのためのGe pMOSFET技術の現状を概観することを目的とする。開発で重要なところはシリコンプラットフォーム上のGeチャネル集積と高kゲート積層膜と基板との界面のパッシベーションである。高い低電界正孔移動度に関係したオン電流を最適化させ,オフ電流と短チャネル効果を減少させるという観点で種々のルートを批判的に議論する。最後に,将来の技術開発の見通しを系統立てて述べる。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *MOSFET ,  *P型半導体 ,  *ゲルマニウム ,  不動態化 ,  キャリア移動度 ,  正孔 ,  短チャネル効果 ,  素子構造 ,  漏れ電流 ,  透過型電子顕微鏡 ,  CMOS構造 ,  誘電体薄膜
準シソーラス用語： パッシベーション ,  正孔移動度

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： Ge ,  pMOSFET ,  機会