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J-GLOBAL ID：201202213100750830   整理番号：12A0583252

原子間力顕微鏡を用いてクリーニングしたグラフェン

Cleaning graphene using atomic force microscope

著者 (3件)： LINDVALL Niclas (Dep. of Microtechnology and Nanoscience, Chalmers Univ. of Technol., SE-41296 Gothenburg, SWE) ,  KALABUKHOV Alexey (Dep. of Microtechnology and Nanoscience, Chalmers Univ. of Technol., SE-41296 Gothenburg, SWE) ,  YURGENS August (Dep. of Microtechnology and Nanoscience, Chalmers Univ. of Technol., SE-41296 Gothenburg, SWE)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 111  号： 6  ページ： 064904-064904-4  発行年： 2012年03月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 原子間力顕微鏡(AFM)を用いてグラフェンデバイスを機械的に清浄化した。試料上をほうき状方法のAHMチップを接触モードで走査する方法により,レジスト残渣を所望の領域から除去をした。この処理後に平均自乗(rms)粗さが0.12μmと低い原子的に平坦なグラフェンが得られた。このクリーニングは又電荷中性点を零ゲート電圧に向けてシフトさせ,電荷キャリア移動度も増加させる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 剥離 ,  *炭素材 ,  基板 ,  熱酸化 ,  ケイ素 ,  ビスマス化合物 ,  ストロンチウム化合物 ,  チタン酸塩 ,  誘電体薄膜 ,  *原子間力顕微鏡 ,  プローブ ,  モード ,  *浄化 ,  表面粗さ ,  ヒストグラム ,  電圧 ,  キャリア移動度 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： ゲート電圧 ,  *清浄化 ,  接触モード

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (3件)： 原子間力顕微鏡 ,  クリーニング ,  グラフェン