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J-GLOBAL ID：201202213166996040   整理番号：12A0395059

フラッシュメモリ応用のためのチャージポンプ回路の比較研究

A comparative study of charge pumping circuits for flash memory applications

著者 (4件)： WONG O.y. (Dep. of Electronic Engineering, City Univ. of Hong Kong, Tat Chee Avenue, Kowloon, Hong Kong, CHN) ,  WONG H. (Dep. of Electronic Engineering, City Univ. of Hong Kong, Tat Chee Avenue, Kowloon, Hong Kong, CHN) ,  TAM W.s. (Dep. of Electronic Engineering, City Univ. of Hong Kong, Tat Chee Avenue, Kowloon, Hong Kong, CHN) ,  KOK C.w. (Dep. of Electronic Engineering, City Univ. of Hong Kong, Tat Chee Avenue, Kowloon, Hong Kong, CHN)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 52  号： 4  ページ： 670-687  発行年： 2012年04月 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フラッシュメモリは,現在多くの携帯電子デバイス,内蔵システムに広く使用され,そしてコンピュータハードディスクの代替にさえなっている。フラッシュシュメモリシステムでは,高電圧(約10Vまで)がプログラミング動作に欠くことができない。多くの場合,しかしながら,そのようなプログラミング電圧を電源供給から直接利用することができなく,通常は,内蔵電圧変換またはチャージポンピング回路によって発生する。これらの回路は,利用できる外部供給電圧から約1~5Vの要求されるプログラミング電圧を発生する。負荷特性と同様に,電力変換効率,チップサイズ,電圧調整はこのような回路にとって主要な関心事である。本発表論文は,幾つかの最近提案されたフラッシュメモリ用チャージポンピング回路を検討する。チャージポンプ回路の性能を高めるための動的ゲートコントロール,4相ゲート昇圧,および交差結合形状に焦点を当てる。異なった動作条件の下で動作する幾つかのチャージポンプ回路を詳細に研究している。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *フラッシュメモリ ,  応用回路 ,  *半導体集積回路 ,  計算機プログラミング ,  *電圧発生 ,  半導体チップ ,  実装設計 ,  テクノロジーアセスメント ,  電力供給
準シソーラス用語： チャージポンプ回路 ,  プログラミング ,  比較研究

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： フラッシュメモリ ,  応用 ,  チャージポンプ回路 ,  研究