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J-GLOBAL ID：201202213304521563   整理番号：12A0655843

切断面を使用する順方向バイアス電力素子の新しい研究分野の可能性

New Investigation Possibilities on Forward Biased Power Devices Using Cross Sections

著者 (6件)： KOCINIEWSKI T. (Univ. Versailles-Saint Quentin, Versailles, FRA) ,  MOUSSODJI J. (French Inst. Sci. and Technol. Transport, Versailles, FRA) ,  KHATIR Z. (French Inst. Sci. and Technol. Transport, Versailles, FRA) ,  BERKANI M. (Ecole Normale Superieure de Cachan, Cachan, FRA) ,  LEFEBVRE S. (Ecole Normale Superieure de Cachan, Cachan, FRA) ,  AZZOPARDI S. (Univ. Bordeaux, Talence, FRA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 33  号： 4  ページ： 576-578  発行年： 2012年04月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ダイオードやIGBTなどの高電力ケイ素素子は切断後も順方向バイアスを印加でき,機能することを初めて示した。まず,部品をモジュールから分離し,次いで銀ペーストを用いてOhm接触を取り,2本のワイヤを接続し,樹脂塗布した後,研磨によって断面の選択した面を出した。電気的特性がダイの切断および切断位置によってどのように変化するかを調べ,性能を確認した。赤外線カメラを用いて,順方向バイアス時のダイオード切断面の温度マッピングも行った。ただし,電力素子の厚さが100μmでは,マクロレンズを用いても,空間分解能は限られ,観測方法については,さらなる探求の必要性があることが分かった。

シソーラス用語： *半導体素子 ,  *断面 ,  バイアス ,  ダイオード ,  IGBT ,  ケイ素 ,  *Ohm接触 ,  電気的性質 ,  温度分布 ,  赤外線カメラ
準シソーラス用語： パワー素子 ,  順バイアス ,  電力ダイオード ,  *電力素子

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 切断面 ,  順 ,  バイアス ,  電力素子 ,  研究 ,  可能性