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J-GLOBAL ID：201202213609289148   整理番号：12A0460971

非極性および半極性III-V窒化物へテロ構造における電荷輸送

Charge transport in non-polar and semi-polar III-V nitride heterostructures

著者 (6件)： KONAR Aniruddha (Univ. Notre Dame, IN, USA) ,  VERMA Amit (Univ. Notre Dame, IN, USA) ,  FANG Tian (Univ. Notre Dame, IN, USA) ,  ZHAO Pei (Univ. Notre Dame, IN, USA) ,  JANA Raj (Univ. Notre Dame, IN, USA) ,  JENA Debdeep (Univ. Notre Dame, IN, USA)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 27  号： 2  ページ： 024018,1-17  発行年： 2012年02月 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： III族窒化物半導体は,光学デバイスばかりでなく,トランジスタの製作においても半極性あるいは非極性結晶面の使用が望まれている。しかし,今のところこれらの半極性および非極性III-V窒化物半導体の輸送特性は,光学的特性に比べて,研究があまり進んでいない。本稿の目的は,GaNの非極性および半極性方位の電荷輸送特性を,分極性方位に対して知られている電荷輸送特性と比較して議論することである。アプローチは,GaNの種々の分極方位のバンド構造から出発し,種々の方位の分極電場と低電界電子および正孔移動度を議論した。非極性および半極性GaNへテロ構造に特有な多くの散乱メカニズムを同定し,それらの効果を評価した。また,量子井戸発光ダイオードへのキャリア注入に及ぼす分極方位の影響についても議論した。

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  HEMT ,  特性 ,  *キャリア移動度 ,  バンド構造 ,  結晶方位 ,  非極性 ,  半導体 ,  電場 ,  格子欠陥 ,  素子構造 ,  *FET【トランジスタ】
準シソーラス用語： 極性半導体 ,  *電荷輸送 ,  内部電場 ,  輸送特性 ,  ヘテロ構造

分類 (2件)： 半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 非極性 ,  半極性 ,  窒化物 ,  テロ ,  電荷輸送