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J-GLOBAL ID：201202213815484143   整理番号：12A0509841

ガスソース分子線エピタクシー成長によるInAs/InP(100)量子ドットの光学的検討

Optical investigation of InAs/InP(100) quantum dots grown by gas source molecular beam epitaxy

著者 (8件)： LI S.g. (Dep. of Electronic Communication and Technol., Shenzhen Inst. of Information Technol., 2188 Longxiang Road, Shenzhen ...) ,  GONG Q. (State Key Lab. of Functional Materials for Informatics, Shanghai Inst. of Microsystem and Information Technol. ...) ,  CAO C.f. (State Key Lab. of Functional Materials for Informatics, Shanghai Inst. of Microsystem and Information Technol. ...) ,  WANG X.z. (Dep. of Electronic Communication and Technol., Shenzhen Inst. of Information Technol., 2188 Longxiang Road, Shenzhen ...) ,  YUE L. (State Key Lab. of Functional Materials for Informatics, Shanghai Inst. of Microsystem and Information Technol. ...) ,  LIU Q.b. (State Key Lab. of Functional Materials for Informatics, Shanghai Inst. of Microsystem and Information Technol. ...) ,  WANG H.l. (Coll. of Physics and Engineering, Qufu Normal Univ., Qufu 273165, People’s Republic of China) ,  WANG Y. (Coll. of Physics and Engineering, Qufu Normal Univ., Qufu 273165, People’s Republic of China)
資料名： Infrared Physics & Technology  (Infrared Physics & Technology)
巻： 55  号： 2-3  ページ： 205-209  発行年： 2012年03月 
JST資料番号： H0184A  ISSN： 1350-4495  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InP(100)InAs基板上の,他の方法のアシストなしのガスソース分子線エピタクシー成長による量子ドットの光学的特性を報告した。InAs層の厚みと成長温度を調節し,フォトルミネセンスを注意深く調べた。InAs層の厚みの増加につれて幅広い範囲で発光ピークを得た。さらに,モフォロジーと量子ドットの形状が同じようにInAs層の厚みに強く依存することが見いだされた。原子間力顕微鏡像から,InAs層の厚みが増えた場合,量子ドットは[01-1]方向に沿って延びた量子ダッシュの形状をとるようになることが示された。量子ドット形成か量子ダッシュ形成かの臨界厚みを得た。同時に,成長温度は発光波長ピークに対し同じように強く影響することが見いだされた。発光波長1.55μmをもたらす,高品質のInAs/InP(100)量子ドットが得られ,良好な性能の量子ドットレーザが作製された。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *量子ドット ,  *半導体レーザ ,  MBE成長 ,  ヒ化インジウム ,  リン化インジウム ,  光ルミネセンス ,  原子間力顕微鏡 ,  依存性 ,  温度依存性 ,  連続発振 ,  *発光スペクトル ,  近赤外線 ,  化合物半導体
準シソーラス用語： ガスソース分子線エピタクシー ,  厚み依存性 ,  成長温度 ,  電流光出力特性 ,  *量子ダッシュ

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (6件)： ガスソース分子線エピタクシー ,  成長 ,  InAs ,  InP ,  量子ドット ,  光学