抄録/ポイント：
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
寸法が数~数百nm程度の構造体や材料では,これまでにない新たな現象が発現する。近年,この現象を新規デバイスに応用する取り組みが活発化しており,応用への展開も見えてきた。そこで,本小特集では,ナノデバイスの研究動向と今後の展望を初学者に分かりやすく解説した。本稿では,固体内におけるイオンの局所的な輸送現象を利用するナノイオニクスデバイスについて紹介する。イオニクスデバイスは,電子に比べてイオンの移動速度が著しく遅いためにデバイス動作が遅い等の欠点があり,ほとんど利用されてこなかった。しかし,ナノテクノロジーの発達により,イオンの局所的な移動制御が可能になり,少数のイオンをナノメートルから原子スケール移動させるだけで動作するナノイオニクスデバイスでは,これまでの欠点を克服するばかりでなく,イオン移動に伴う構造形成や物質制御によって従来型デバイスでは得られなかった興味深い物理・化学現象を発現させられる可能性が出てきた。そのため,電子情報用ナノイオニクスデバイスが新たに注目されている。本稿では,局所的な金属イオンの移動,及びそれに続く電気化学反応の制御によって得られる新規の機能性の発現とナノイオニクスデバイスヘの応用に関して,著者らがこれまで行ってきた原子スイッチの開発研究を基に説明した。原子スイッチは,その動作原理から極微細化や低消費電力化などが可能であり,半導体デバイスの限界を克服する次世代ナノデバイスとして期待される。また,本稿では説明できなかったが,酸素イオンの移動を利用した界面ナノエンジニアリングによる,ショットキー障壁の制御,あるいは化学ドーピングの制御によって電気特性が変化するなどの興味深い現象も見いだされており,更なる展開が期待される。
