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J-GLOBAL ID：201202213824918679   整理番号：12A0693720

物理的ダイシング法によるAlGaN/GaN HEMTのSiC背面ソース接地プロセス

SiC backside source grounding process for AlGaN/GaN HEMT by physical dicing method

著者 (4件)： WANG C. (Kwangwoon Univ., Seoul, KOR) ,  LEE W. S. (Nano ENS Co. Ltd, Gyeonggi-do, KOR) ,  CHO S. J. (Kwangwoon Univ., Seoul, KOR) ,  KIM N. Y. (Kwangwoon Univ., Seoul, KOR)
資料名： Electronics Letters  (Electronics Letters)
巻： 48  号： 7  ページ： 405-406  発行年： 2012年03月29日 
JST資料番号： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ソース接地は高出力増幅器のAlGaN/GaN HEMT MMIC実現のための鍵となる技術である。ソースワイヤボンディング法はデバイス特性を低下させて良い方法とは言えない。スルーウエハビアは477μmと厚く化学的に不活性なSiC基板に不向きである。本レターはソース接地を実現する物理的ダイシング法を提案する。まず隣接するHEMTのソース間に25μm厚のSU-8をパターニングをする。次にSiCウエハを反転させてサファイア板に貼り付ける。3番目に背面からSU-8に沿ってダイシングする。反転させたウエハにTi/Auのシード層を付け,5μm厚のAuをメッキする。製作したデバイスは,30Vバイアスの時10GHz出力で9.18W/mmの電力密度を利得9.6dBと50%の電力付加効率で達成した。

シソーラス用語： *HEMT ,  アルミニウム化合物 ,  窒化ガリウム ,  切削 ,  炭化ケイ素 ,  *接地 ,  半導体プロセス
準シソーラス用語： AlGaN/GaN ,  SiC ,  *ダイシング

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (10件)： 物理 ,  ダイシング ,  AlGaN ,  GaN ,  HEMT ,  SiC ,  背面 ,  ソース ,  接地 ,  プロセス