文献

J-GLOBAL ID：201202213911535450   整理番号：12A0706011

Spindt-T型シリコン電界放出素子を導入することによる静電放電保護の改善

Improvement of Electrostatic Discharge Protection by Introducing a Spindt-Type Silicon Field Emission Device

著者 (4件)： CHANG Liann-Be (Chang Gung Univ., Taoyuan, TWN) ,  FERNG Yi-Cherng (Chang Gung Univ., Taoyuan, TWN) ,  LIAO Jhong-Wei (Chang Gung Univ., Taoyuan, TWN) ,  LIN Ching-Chi (Chang Gung Univ., Taoyuan, TWN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 51  号： 4,Issue 1  ページ： 044103.1-044103.3  発行年： 2012年04月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,静電放電(ESD)調整機能を備えた新規Spindt-T型シリコン電界放出素子(FED)を提案した。作製したFEDのプロセスパラメータ,キャパシタンス-電圧(C-V),電流-電圧(I-V)および周波数応答を含んだ特性を調査した。ESD保護の性能を実証するために,システムレベルのESD試験の適用条件下で,金属酸化物バリスタ(MOV)を,作製したFEDに備えた最新式の保護構造に置き換えた。測定結果から,前段のガス管避雷器,中間抵抗器および,導入したFEDから構成された,提案したESD保護回路が,注入ESDパルス電圧を6000Vから3193Vまで抑え,46.8%の減少になったが,ガス管避雷器のみであると,6000Vから5606Vまで,6.57%の減少であることが明らかになった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 機能素子 ,  *ケイ素 ,  *電界放出 ,  放電 ,  半導体 ,  *容量電圧特性 ,  *電流電圧特性 ,  周波数応答 ,  電気保護 ,  *バリスタ
準シソーラス用語： 静電放電 ,  ESD保護 ,  金属酸化物バリスタ

分類 (1件)： その他の固体デバイス  (NC03150A)

引用文献 (14件)：

• 1) A. Haddad, D. M. German, R. T. Waters, and Z. Abdul-Malek: IEE Proc.-Gener. Transm. Distrib. 148 (2001) 21.
• 2) IEEE Standard C62.42 (2005).
• 3) B. J. Kim, Y. W. Lee, S. Y. Choi, S. J. Yun, and H. T. Kim: IEEE Electron Device Lett. 31 (2010) 14.
• 4) C. A. Spindt, I. Brodie, L. Humphrey, and E. R. Westerberg: J. Appl. Phys. 47 (1976) 5248.
• 5) S. Ito: Optronics 293 (2006) 102.

タイトルに関連する用語 (3件)： シリコン ,  電界放出素子 ,  静電放電保護