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J-GLOBAL ID：201202213967509940   整理番号：12A1287402

InGaN量子井戸に基づくシアン超発光ダイオード

Cyan Superluminescent Light-Emitting Diode Based on InGaN Quantum Wells

著者 (4件)： KOPP Fabian (OSRAM Opto Semiconductors GmbH, Regensburg, DEU) ,  LERMER Teresa (OSRAM Opto Semiconductors GmbH, Regensburg, DEU) ,  EICHLER Christoph (OSRAM Opto Semiconductors GmbH, Regensburg, DEU) ,  STRAUSS Uwe (OSRAM Opto Semiconductors GmbH, Regensburg, DEU)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 5  号： 8  ページ： 082105.1-082105.3  発行年： 2012年08月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 500nmの長波長を放射するInGaN超発光ダイオード(SLED)を示した。インジウム過剰層は超ルミネセンスモードでの動作には不十分であったので,これ迄このような長波長のSLEDは実現されていなかった。物質利得の高いエピタキシャル構造と湾曲導波路の特別のチップ設計を用いてこの問題を解決した。パルスモードで動作させたSLEDの出力パワーは>4mWに達し,スペクトルバンド幅は4.4nmであった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *発光ダイオード ,  量子井戸 ,  *半導体材料 ,  インジウム化合物 ,  窒化物 ,  ガリウム化合物 ,  エピタクシー ,  パルスレーザ ,  半導体薄膜 ,  光導波路 ,  *発光スペクトル ,  放射強度

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (4件)： InGaN ,  量子井戸 ,  シアン ,  発光ダイオード