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J-GLOBAL ID：201202213980785433   整理番号：12A1145189

3D積層技術におけるアイソレーションライナの特性と高アスペクト比TSVの電気特性

Properties of Isolation Liner and Electrical Characteristics of High Aspect Ratio TSV in 3D Stacking Technology

著者 (8件)： JUNG DeokYoung (Samsung Electronics Co. Ltd, Gyeonggi-Do, KOR) ,  MOON Kwang-Jin (Samsung Electronics Co. Ltd, Gyeonggi-Do, KOR) ,  PARK Byung-Lyul (Samsung Electronics Co. Ltd, Gyeonggi-Do, KOR) ,  CHOI Gilheyun (Samsung Electronics Co. Ltd, Gyeonggi-Do, KOR) ,  KANG Ho-Kyu (Samsung Electronics Co. Ltd, Gyeonggi-Do, KOR) ,  CHUNG Chilhee (Samsung Electronics Co. Ltd, Gyeonggi-Do, KOR) ,  JUNG DeokYoung (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  RHO Yonghan (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR)
資料名： IEEE/SEMI Advanced Semiconductor Manufacturing Conference and Workshop  (IEEE/SEMI Advanced Semiconductor Manufacturing Conference and Workshop)
巻： 23rd  ページ： 198-200  発行年： 2012年 
JST資料番号： W0718A  ISSN： 1078-8743  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スルーシリコンビア(TSV)による三次元チップ積層技術は超小型半導体集積回路の高性能化に必須である。今回,O₃-TEOS CVDによって堆積させたSiO₂アイソレーション層のC-V特性の測定に基づく特性化を行い,高信頼アイソレーション特性を実現するためにTSV/P⁺Si積層構造の電気特性に及ぼす薄膜物理特性の影響を調べた。高信頼性アイソレーションライナプロセスを実現できた。

シソーラス用語： *アイソレーション【IC】 ,  *ライナ ,  積層構造 ,  化学蒸着 ,  バイアホール ,  *キャラクタリゼーション ,  二酸化ケイ素 ,  ケイ素 ,  電気特性 ,  物理的性質 ,  薄膜
準シソーラス用語： スルーシリコンビア ,  高アスペクト比エッチング ,  高信頼性 ,  三次元構造

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 3D ,  高アスペクト比 ,  TSV ,  電気特性