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J-GLOBAL ID：201202214179630955   整理番号：12A0040783

エキシマおよびグリーンレーザのノンメルトレーザアニーリングによる浅いp⁺/n接合形成時のボロン拡散の比較

Comparison of boron diffusion in silicon during shallow p⁺/n junction formation by non-melt excimer and green laser annealing

著者 (4件)： AID Siti Rahmah (Keio Univ., Kanagawa, JPN) ,  MATSUMOTO Satoru (Keio Univ., Kanagawa, JPN) ,  FUSE Genshu (SEN Corp., Tokyo, JPN) ,  SAKURAGI Susumu (Sumitomo Heavy Ind. Ltd., Kanagawa, JPN)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 208  号： 12  ページ： 2772-2777  発行年： 2011年12月 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 浅いp⁺/n接合の形成のために,以前の報告では,KrFエキシマレーザによるノンメルトレーザアニーリング(NLA)を試みた。本報告では,前報と同じボロンイオン注入プロセスで浅いp⁺/n接合を形成し,RTAによるアニールの後,グリーンレーザを用いたパルスアニール(110ns)によるNLAを行った。こうして,レーザの違いによるドーパント拡散やアモルファスシリコン(a-Si)の結晶化挙動などを比較した。その結果,エキシマレーザによるアニールの場合にはボロンの顕著な拡散が起きたのに対して,グリーンレーザを用いた場合には,ボロン拡散は裾領域でわずかしか起こらないことがわかった。a-Siの結晶化も,グリーンレーザを用いた場合には,エキシマレーザの場合より遅かった。ボロン拡散のレーザによる違いは,侵入深さとパルス幅の違いによるアニール中の応力場の違いに起因するのかもしれない。

シソーラス用語： *PN接合 ,  *ゲルマニウム ,  *可視レーザ ,  *レーザアニーリング ,  *ホウ素 ,  *拡散 ,  *イオン注入 ,  *エキシマレーザ ,  RTA【熱処理】 ,  焼なまし ,  結晶化 ,  深さ ,  パルス法 ,  パルス幅 ,  応力場 ,  基板 ,  ウエハ【IC】 ,  ケイ素 ,  アモルファス化 ,  短チャネル効果 ,  抑制 ,  グリーンレーザ ,  浸透深さ ,  シリコンウエハ
準シソーラス用語： NLA ,  PAI【イオン注入】 ,  SCE【チャネル効果】 ,  Siウエハ ,  アニール ,  ボロン

分類 (1件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (5件)： エキシマ ,  グリーン ,  レーザ ,  ボロン ,  拡散