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J-GLOBAL ID：201202214260010422   整理番号：12A0764286

Si(100)2×1表面の超高温酸化:成長温度の影響

Hyperthermal Oxidation of Si(100)2×1 Surfaces: Effect of Growth Temperature

著者 (5件)： KHALILOV U. (Univ. Antwerp, Wilrijk-Antwerp, BEL) ,  POURTOIS G. (Univ. Antwerp, Wilrijk-Antwerp, BEL) ,  POURTOIS G. (IMEC, Leuven, BEL) ,  VAN DUIN A. C. T. (Penn State Univ., Pennsylvania, USA) ,  NEYTS E. C. (Univ. Antwerp, Wilrijk-Antwerp, BEL)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 116  号： 15  ページ： 8649-8656  発行年： 2012年04月19日 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 広い温度範囲における再構築Si(100)表面の超熱酸化の間の新しい酸化層の成長メカニズムを調査するために,反応分子動力学シミュレーションを行った。約700Kを転位温度とする2つの成長メカニズムが確認された。この温度以下では酸化厚みは衝突種の衝撃エネルギーにのみ,そして以上の場合は衝撃エネルギーと表面温度に依存した。さらに,酸化厚みは温度の上昇とともに増加した。これは,温度上昇による酸素原子の拡散の促進と,酸素侵入のための活性化障壁に起因すると考える。実験とab initioデータを使用して結果を検証し,良好な一致が得られた。

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *高温酸化 ,  *温度 ,  計算機シミュレーション ,  表面温度 ,  表面構造 ,  薄膜成長
準シソーラス用語： *成長温度 ,  分子動力学シミュレーション

分類 (2件)： その他の無触媒反応  (CB06070U) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (3件)： Si ,  高温酸化 ,  成長温度